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    VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES MIKROSYSTEMS MIT PIXEL
    1.
    发明申请
    VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES MIKROSYSTEMS MIT PIXEL 审中-公开

    公开(公告)号：WO2015014754A3

    公开(公告)日：2015-02-05

    申请号：PCT/EP2014/066084

    申请日：2014-07-25

    Applicant: PYREOS LTD.

    Inventor： GIEBELER, Carsten ,  CONWAY, Neil

    IPC: G01J5/34

    Abstract: Verfahren zum Herstellen eines Mikrosystems mit Pixel Ein Verfahren zum Herstellen eines Mikrosystems (1) mit Pixel, weisend die Schritte auf: Bereitstellen eines Siliziumwafers; Herstellen Siliziumoxidschichten (5,6) auf den Siliziumwafers; Herstellen einer Platinschicht unmittelbar auf der Oxid (6); Abkühlen des Zwischenprodukts; pixelartige Strukturierung der Platinschicht, um Bodenelektroden (8, 12) der Pixel (7, 8) zu erzeugen; Materialabtragung an der Oxidschicht (5) abgewandten Seite des Siliziumwafers, so dass ein Rahmen (3) verbleibt und von dem Rahmen (3) eine Membran (4) gebildet von den Oxidschichten (5,6) aufgespannt wird; Fertigstellen des Mikrosystems (1).

    VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES DÜNNFILMS AUS BLEI-ZIRKONAT-TITANAT
    2.
    发明申请
    VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES DÜNNFILMS AUS BLEI-ZIRKONAT-TITANAT 审中-公开
    一种用于生产薄膜分析锆钛酸铅

    公开(公告)号：WO2012110458A1

    公开(公告)日：2012-08-23

    申请号：PCT/EP2012/052419

    申请日：2012-02-13

    Applicant: PYREOS LTD. ,  GIEBELER, Carsten ,  CONWAY, Neil

    Inventor： GIEBELER, Carsten ,  CONWAY, Neil

    IPC: C23C14/08 ,  H01L21/02 ,  H01L37/02

    CPC classification number: H01L41/1876 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/088 ,  C23C14/3464 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02266 ,  H01L37/025 ,  H01L41/316

    Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen des Dünnfilms aus Blei-Zirkonat- Titanat in 111-orientierter Perovskit-Struktur weist die Schritte auf: Bereitstellen eines Substrats mit einer Substrattemperatur von über 450°C und eines Blei-Targets, eines Zirkon-Targets und eines Titan-Targets; Aufbringen des Dünnfilms durch Sputtern von Blei, Zirkon und Titan von den jeweiligen Targets auf das Substrat, wobei die gesamte Abscheiderate von Blei, Zirkon und Titan größer als 10 nm/min ist, die Abscheiderate von Zirkon derart gewählt wird, dass die atomare Konzentration von Zirkon bezogen auf die atomare Konzentration von Zirkon zusammen mit Titan im Dünnfilm zwischen 0,2 und 0,3 liegt, und die Abscheiderate von Blei in Abhängigkeit der Substrattemperatur und der gesamten Abscheiderate von Blei, Zirkon und Titan so niedrig gewählt wird, dass ein Röntgendiffraktometerdiagramm des 111- orientierten Blei-Zirkonat-Titanats im Bereich des Beugungswinkels von 33 bis 35,5° einen signifikanten Spitzenwert (19) hat; und Fertigstelle des Dünnfilms.

    Abstract translation: 一种用于在111导向钙钛矿结构的锆钛酸铅的薄膜的制造方法包括以下步骤：提供一基板具有约450℃的基板温度和引线靶，锆靶和钛靶 ; 通过在衬底上溅射铅，从各靶锆和钛沉积薄膜，其中铅，锆和钛的总沉积速率大于10nm /分钟时，选择锆的沉积，使得原子浓度的 基于锆的原子浓度锆是在0.2和0.3，和铅在基体温度和整个铅，锆和钛的沉积速率的依赖性的沉积之间的薄膜钛一起被选择如此低，以致一个Röntgendiffraktometerdiagramm 的111-面向锆钛酸铅中的33的衍射角的范围内，以35.5°具有显著峰值（19）; 并在完成薄膜的点。

    KOMPAKTER INFRAROTLICHTDETEKTOR UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DESSELBEN SOWIE EIN INFRAROTLICHTDETEKTORSYSTEM MIT DEM INFRAROTLICHTDETEKTOR
    3.
    发明申请
    KOMPAKTER INFRAROTLICHTDETEKTOR UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DESSELBEN SOWIE EIN INFRAROTLICHTDETEKTORSYSTEM MIT DEM INFRAROTLICHTDETEKTOR 审中-公开
    紧凑型红外线光检测器及其制造方法具有红外探测器相同，红外探测器系统

    公开(公告)号：WO2011018253A1

    公开(公告)日：2011-02-17

    申请号：PCT/EP2010/057050

    申请日：2010-05-21

    Applicant: PYREOS LTD. ,  GIEBELER, Carsten ,  CONWAY, Neil ,  CHAMBERLAIN, Tim

    Inventor： GIEBELER, Carsten ,  CONWAY, Neil ,  CHAMBERLAIN, Tim

    IPC: G01J5/20 ,  G01J5/02 ,  G01J1/46 ,  H01L37/02

    CPC classification number: G01J5/34 ,  G01J1/46 ,  G01J5/02 ,  G01J5/022 ,  G01J5/024 ,  H01L37/02

    Abstract: Ein Infrarotlichtdetektor weist einen Sensorchip (4), der ein aus einem pyroelektrisch sensitiven Material hergestelltes Dünnschichtelement (5) aufweist mit einem elektrischen Isolator (27), mindestens ein elektronisches Bauteil (17, 18) in Dünnschichtbauweise, das einen Teil einer Ausleseelektronik bildet, und eine Dünnschichtmembran (2) auf, an der der Sensorchip (4) und das elektronische Bauteil (17, 18) nebeneinander liegend derart integriert angebaut sind, dass das elektronische Bauteil (17, 18) mit dem Dünnschichtelement (5) elektrisch leitend gekoppelt ist und an das elektronische Bauteil (17, 18) ein Signalverstärker (22) anschließbar ist, mit dem unter Zusammenwirken mit dem elektronischen Bauteil (17, 18) ein vom Sensorchip (4) abgegebenes elektrisches Signal verstärkbar ist.

    Abstract translation: 红外光检测器包括传感器芯片（4），具有电绝缘体（27）由热电敏感材料薄膜元件（5）中的一个，在薄层结构的至少一个电子元件（17，18），其形成读出电子器件的一部分，并且 （2）的薄膜在其上的传感器芯片（4）和电子部件（17，18）被相邻地安装的集成，使得所述电子部件（17，18）到所述薄膜元件（5）导电地耦合和 到电子部件（17，18）的信号放大器（22）的相互作用下与连接的与电子部件（17，18）由所述传感器芯片（4）发出的电子信号可被放大。

    VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES DÜNNFILMS AUS BLEI-ZIRKONAT-TITANAT
    5.
    发明公开
    VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES DÜNNFILMS AUS BLEI-ZIRKONAT-TITANAT 审中-公开
    一种用于生产薄膜分析锆钛酸铅

    公开(公告)号：EP2675935A1

    公开(公告)日：2013-12-25

    申请号：EP12705252.0

    申请日：2012-02-13

    Applicant: Pyreos Ltd.

    Inventor： GIEBELER, Carsten ,  CONWAY, Neil

    IPC: C23C14/08 ,  H01L21/02 ,  H01L37/02

    CPC classification number: H01L41/1876 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/088 ,  C23C14/3464 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02266 ,  H01L37/025 ,  H01L41/316

    Abstract: The invention relates to a method for producing the thin film made of lead zirconate titanate in a 111-oriented perovskite structure, comprising the following steps: providing a substrate having a substrate temperature above 450°C and a lead target, a zirconium target, and a titanium target; applying the thin film by sputtering lead, zirconium, and titanium from the respective targets onto the substrate, wherein the total deposition rate of lead, zirconium, and titanium is greater than 10 nm/min, the deposition rate of zirconium is selected in such a way that the atomic concentration of zirconium with respect to the atomic concentration of zirconium together with titanium in the thin film is between 0.2 and 0.3, and the deposition rate of lead is selected to be sufficiently low, depending on the substrate temperature and the total deposition rate of lead, zirconium, and titanium, for an X-ray diffractometer graph of the 111-oriented lead zirconate titanate to have a significant peak value (19) in a diffraction angle range from 33 to 35.5°; and completing the thin film.

    VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES MIKROSYSTEMS MIT PIXEL
    7.
    发明公开
    VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES MIKROSYSTEMS MIT PIXEL 审中-公开
    方法用于生产具有像素微系统

    公开(公告)号：EP3028021A2

    公开(公告)日：2016-06-08

    申请号：EP14744323.8

    申请日：2014-07-25

    Applicant: Pyreos Ltd.

    Inventor： GIEBELER, Carsten ,  CONWAY, Neil

    IPC: G01J5/34

    CPC classification number: H01L31/1884 ,  G01J1/44 ,  G01J5/023 ,  G01J5/024 ,  G01J5/046 ,  G01J5/34 ,  G01J2005/345 ,  H01L37/02 ,  H01L37/025 ,  H01L41/316

    Abstract: The invention relates to a method for producing a microsystem (1) having pixels, comprising the following steps: providing a silicon wafer; producing a thermal silicon oxide layer on the surface of the silicon wafer as a base layer (5) having a thickness between 200 nm and 1000 nm by oxidizing the silicon wafer; producing a thin silicon oxide layer directly on the base layer (5) as a substrate layer (6) having a thickness of 100 nm to 700 nm by means of a thermal deposition method; producing a platinum layer directly on the substrate layer (6) by means of a thermal deposition method, which platinum layer has a thickness of 40 nm to 200 nm, whereby an intermediate product comprising the silicon wafer, the base layer (5), the substrate layer (6), and the platinum layer is produced; cooling the intermediate product to room temperature; structuring the platinum layer in a pixel-like manner by removing superfluous areas of the platinum layer, whereby bottom electrodes (8, 12) of the pixels (7, 8) are formed in shape of pixels on the substrate layer (5) by the remaining areas of the platinum layer; removing material on the side of the silicon wafer facing away from the base layer (5), such that a frame (3) remains and a membrane (4) formed by the base layer (5) and the substrate layer (6) is tensioned by the frame (3); finishing the microsystem (1).

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