公开(公告)号：RU2553087C2

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：RU2013109271

申请日：2011-08-03

Applicant: QUALCOMM INC

Inventor： RAO KHARI M ,  KIM DZUNG PILL ,  KANG SEUNG KH ,  CHZHU SJAOCHUN ,  KIM TAE KHIUN ,  LI KANGKHO ,  LI SJA ,  KHSU VAKH NAM ,  KHAO UJAN ,  SUKH DZUNGVON ,  JUJ NIKOLAS K ,  NOVAK MEHTT JU MAJKL ,  MILLENDORF STIVEN M ,  ASHKENAZI ASAF

IPC: G11C17/16

Abstract: Изобретениеотноситсяк вычислительнойтехнике. Техническийрезультатзаключаетсяв обеспечениивысокоскоростногопрограммированияодноразряднойячейки. Способформированиянеобратимогосостоянияв одноразряднойячейке, вкоторомприменяютпрограммирующеенапряжениек первомумагнитномутуннельномупереходу (МТП, MTJ) одноразряднойячейкибезпримененияпрограммирующегонапряженияковторомуМТПодноразряднойячейкидляформированиянеобратимогосостоянияв одноразряднойячейке; иопределяютнеобратимоесостояниепутемсравненияпервогозначения, считанногос первогоМТПи принятогонапервомвходедифференциальногоусилителя, совторымзначением, считаннымсовторогоМТПи принятымнавторомвходедифференциальногоусилителя, причемпервоезначениесоответствуетпервомунапряжениюпервойразряднойшины, соединеннойс первымМТП, автороезначениесоответствуетвторомунапряжениювторойразряднойшины, соединеннойсовторымМТП. 7 н. и 27 з.п. ф-лы, 7 ил.

公开(公告)号：RU2463676C2

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：RU2010136657

申请日：2009-01-28

Applicant: QUALCOMM INC

Inventor： LI SJA

IPC: G11C11/16

Abstract: Изобретениеотноситсяк вычислительнойтехники, аименнок ячейкаммагнитноготуннельногоперехода. Техническимрезультатомявляетсясозданиепамятис большойплотностьюбезувеличенияконтурнойобластикаждойизячеек MTJ. Магниторезистивнаяоперативнаяпамятьс произвольнымдоступом (MRAM) содержит: матрицуячеекмагнитноготуннельногоперехода (MTJ), причемкаждаяизячеек MTJ содержитмножествобоковыхстенок, причемкаждаяизмножествабоковыхстеноксодержитсвободныйслойдляпроведениясоответствующегонезависимогомагнитногодомена, выполненногос возможностьюхраненияцифровогозначения; инижнююстенку, соединеннуюс каждойизмножествабоковыхстенок, причемданнаянижняястенкапроходитпосуществупараллельнок поверхностиподложки, причемданнаянижняястенкасодержитсвободныйслой. 3 н. и 21 з.п. ф-лы, 31 ил.

公开(公告)号：RU2461082C2

公开(公告)日：2012-09-10

申请号：RU2010140917

申请日：2009-02-27

Applicant: QUALCOMM INC

Inventor： LI SJA

IPC: G11C11/16

Abstract: Изобретениеотноситсяк вычислительнойтехнике. Техническийрезультатзаключаетсяв увеличенииплотностиинформациив запоминающемустройствебезувеличенияплощадисхемыкаждойиз MTJ-ячеек. Способизготовленияустройстванамагнитныхтуннельныхпереходах, которыйвключаетв себяформированиеканавкив подложке, осаждениепроводящегоконтактноговыводавнутриканавкии осаждениеструктурыс магнитнымитуннельнымипереходами (MTJ) внутриканавки. MTJ-структуравключаетв себяфиксированныймагнитныйслой, имеющийфиксированнуюмагнитнуюориентацию, слойтуннельногопереходаи свободныймагнитныйслой, имеющийконфигурируемуюмагнитнуюориентацию. Фиксированныймагнитныйслойсоединенс проводящимконтактнымвыводомвдольповерхностираздела, котораяидетпрактическипонормалик поверхностиподложки. Свободныймагнитныйслой, которыйявляетсясмежнымс проводящимконтактнымвыводом, переноситмагнитныйдомен, выполненныйс возможностьюсохранятьцифровоезначение. 3 н. и 17 з.п. ф-лы, 43 ил.

公开(公告)号：RU2459317C2

公开(公告)日：2012-08-20

申请号：RU2010140357

申请日：2009-02-23

Applicant: QUALCOMM INC

Inventor： LI SJA

IPC: H01L43/12

Abstract: Изобретениеможетбытьиспользованоприизготовлениипостоянныхзапоминающихэнергонезависимыхустройствс высокойплотностьюи малоймощностью. Способизготовленияустройствас магнитнымтуннельнымпереходомвключаетформированиеканавкив подложке; нанесениеструктурыс магнитнымтуннельнымпереходом (MTJ) внутриканавки, причем MTJ структуравключаетв себянижнийэлектрод, фиксированныйслой, туннельныйбарьерныйслой, свободныйслойи верхнийэлектрод; иприменениепроцессаоборотногофототравлениядляудаленияматериала, которыйнепосредственноневыступаетизканавки, выравнивание MTJ структурыбезвыполненияпроцессафототравленияна MTJ структуре. Такжепредложеныещедвавариантаданногоспособа. Изобретениеобеспечиваетупрощениепроцессаизготовления, атакжеисключениеэрозииподложки, скругленияуглови нежелательногосмывапленки. 3 н. и 16 з.п. ф-лы, 25 ил.

公开(公告)号：RU2464672C2

公开(公告)日：2012-10-20

申请号：RU2011103194

申请日：2009-06-23

Applicant: QUALCOMM INC

Inventor： LI SJA ,  CHZHU SJAOCHUN ,  KANG SEUNG KH

IPC: H01L43/08

Abstract: Настоящееизобретениеотноситсяк созданиюмагнитнойоперативнойпамяти. Согласноизобретениюпредложенспособдлявыравниваниямагнитнойпленкивовремяееосаждения. Способвключаетв себяприкладываниепервогомагнитногополявдольпервогонаправленияв области, вкоторойнаходитсяподложкавовремяосажденияпервогомагнитногоматериаланаподложку, причеммагнитнаяпленкасодержитпервыймагнитныйматериал; иприкладываниевторогомагнитногополявдольвторогонаправленияв областивовремяосажденияпервогомагнитногоматериаланаподложку. Такжепредложенытривариантаустройствдляосаждениямагнитнойпленки. Изобретениеобеспечиваетвозможностьповышенияэффективностиустройствмагнитнойоперативнойпамятипосредствомсокращенияпотребленияэнергииилиповышениянадежности, суменьшеннымразмеромэлементов. 4 н. и 21 з.п. ф-лы, 7 ил.

公开(公告)号：RU2453934C2

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：RU2010129831

申请日：2008-12-19

Applicant: QUALCOMM INC

Inventor： CHZHU SJAOCHUN ,  GU SHITSJUN ,  LI SJA ,  KANG SEUNG KH

IPC: G11C11/16

Abstract: Изобретениеотноситсяк устройствупамяти, включающемув себяструктурумагнитноготуннельногоперехода (МТП). Техническийрезультат - повышениепределоврабочихрежимовсчитыванияи записив устройстве STT-MRAM иснижениетоказаписи, требуемогодляхранениязначенийданныхв устройстве STT-MRAM. Устройствовключаетв себятракт (102) считывания, соединенныйсоструктуройМТП, итракт (104) записи, соединенныйсоструктуройМТП. Тракт (104) записиотделеноттракта (102) считывания. Устройствотакжевключаетв себяпарупоследовательносоединенныхструктур (106, 108) МТП, вследствиечеготракт (102) считываниясодержиттолькооднуизструктур (108) МТП. 4 н. и 17 з.п. ф-лы, 20 ил.