公开(公告)号：ES2718487T3

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：ES11752672

申请日：2011-08-03

Applicant: QUALCOMM INC

Inventor： RAO HARI M ,  KIM JUNG PILL ,  KANG SEUNG H ,  ZHU XIAOCHUN ,  KIM TAE HYUN ,  LEE KANGHO ,  LI XIA ,  HSU WAH NAM ,  HAO WUYANG ,  SUH JUNGWON ,  YU NICHOLAS K ,  NOWAK MATTHEW MICHAEL ,  MILLENDORF STEVEN M ,  ASHKENAZI ASAF

IPC: G11C17/16 ,  G11C11/16 ,  G11C17/02

公开(公告)号：RU2553087C2

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：RU2013109271

申请日：2011-08-03

Applicant: QUALCOMM INC

Inventor： RAO KHARI M ,  KIM DZUNG PILL ,  KANG SEUNG KH ,  CHZHU SJAOCHUN ,  KIM TAE KHIUN ,  LI KANGKHO ,  LI SJA ,  KHSU VAKH NAM ,  KHAO UJAN ,  SUKH DZUNGVON ,  JUJ NIKOLAS K ,  NOVAK MEHTT JU MAJKL ,  MILLENDORF STIVEN M ,  ASHKENAZI ASAF

IPC: G11C17/16

Abstract: Изобретениеотноситсяк вычислительнойтехнике. Техническийрезультатзаключаетсяв обеспечениивысокоскоростногопрограммированияодноразряднойячейки. Способформированиянеобратимогосостоянияв одноразряднойячейке, вкоторомприменяютпрограммирующеенапряжениек первомумагнитномутуннельномупереходу (МТП, MTJ) одноразряднойячейкибезпримененияпрограммирующегонапряженияковторомуМТПодноразряднойячейкидляформированиянеобратимогосостоянияв одноразряднойячейке; иопределяютнеобратимоесостояниепутемсравненияпервогозначения, считанногос первогоМТПи принятогонапервомвходедифференциальногоусилителя, совторымзначением, считаннымсовторогоМТПи принятымнавторомвходедифференциальногоусилителя, причемпервоезначениесоответствуетпервомунапряжениюпервойразряднойшины, соединеннойс первымМТП, автороезначениесоответствуетвторомунапряжениювторойразряднойшины, соединеннойсовторымМТП. 7 н. и 27 з.п. ф-лы, 7 ил.

公开(公告)号：SG187688A1

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：SG2013008131

申请日：2011-08-03

Applicant: QUALCOMM INC

Inventor： RAO HARI M ,  KIM JUNG PILL ,  KANG SEUNG H ,  ZHU XIAOCHUN ,  KIM TAE HYUN ,  LEE KANGHO ,  LI XIA ,  HSU WAH NAM ,  HAO WUYANG ,  SUH JUNGWON ,  YU NICHOLAS K ,  NOWAK MATTHEW MICHAEL ,  MILLENDORF STEVEN M ,  ASHKENAZI ASAF

Abstract: A method of generating a non-reversible state at a bitcell having a first magnetic tunnel junction (MTJ) and a second MTJ includes applying a program voltage to the first MTJ of the bitcell without applying the program voltage to the second MTJ of the bitcell. A memory device includes a bitcell having a first MTJ and a second MTJ and programming circuitry configured to generate a non-reversible state at the bitcell by applying a program signal to a selected one of the first MTJ and the second MTJ of the bitcell.

公开(公告)号：AR082475A1

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：ARP110102812

申请日：2011-08-03

Applicant: QUALCOMM INC

Inventor： RAO HARI M ,  KIM JUNG PILL ,  KANG SEUNG H ,  ZHU XIAOCHUN ,  KIM TAE HYUN ,  LEE KANGHO ,  LI XIA ,  HSU WAH NAM ,  HAO WUYANG ,  SUH JUNGWON ,  YU NICHOLAS K ,  NOWAK MATTHEW MICHAEL ,  MILLENDORF STEVEN M ,  ASHKENAZI ASAF

IPC: G11C11/16 ,  G11C17/02 ,  G11C17/16

Abstract: Un método para generar un estado no reversible en una celda de bits con un primer empalme de túnel magnético (MTJ) y un segundo MTJ incluye aplicar un voltaje programado al primer MTJ de la celda de bits sin aplicar el voltaje programado al segundo MTJ de la celda de bits. Un dispositivo de memoria incluye una celda de bits con un primer MTJ y un segundo MTJ y sistemas de circuitos de programación configurados para generar un estado no reversible en la celda de bits al aplicar una señal programada a uno seleccionado del primer MTJ o del segundo MTJ de la celda de bits.

公开(公告)号：HUE043517T2

公开(公告)日：2019-08-28

申请号：HUE11752672

申请日：2011-08-03

Applicant: QUALCOMM INC

Inventor： RAO HARI M ,  KIM JUNG PILL ,  KANG SEUNG H ,  ZHU XIAOCHUN ,  KIM TAE HYUN ,  LEE KANGHO ,  LI XIA ,  HSU WAH NAM ,  HAO WUYANG ,  SUH JUNGWON ,  YU NICHOLAS K ,  NOWAK MATTHEW MICHAEL ,  MILLENDORF STEVEN M ,  ASHKENAZI ASAF

IPC: G11C17/16 ,  G11C11/16 ,  G11C17/02

公开(公告)号：IN318MUN2013A

公开(公告)日：2015-05-29

申请号：IN318MUN2013

申请日：2013-02-18

Applicant: QUALCOMM INC

Inventor： RAO HARI M ,  KIM JUNG PILL ,  KANG SEUNG H ,  ZHU XIAOCHUN ,  KIM TAE HYUN ,  LEE KANGHO ,  LI XIA ,  HSU WAH NAM ,  HAO WUYANG ,  SUH JUNGWON ,  YU NICHOLAS K ,  NOWAK MATTHEW MICHAEL ,  MILLENDORF STEVEN M ,  ASHKENAZI ASAF

IPC: G11C17/16 ,  G11C11/16 ,  G11C17/02

Abstract: A method of generating a non reversible state at a bitcell having a first magnetic tunnel junction (MTJ) and a second MTJ includes applying a program voltage to the first MTJ of the bitcell without applying the program voltage to the second MTJ of the bitcell. A memory device (102) includes a bitcell having a first MTJ (106) and a second MTJ (108) and programming circitry (104) configured to generate a non reversible state at the bitcell by applying a program signal to a selected one of the first MTJ and the second MTJ of the bitcell.

公开(公告)号：HK1181916A1

公开(公告)日：2013-11-15

申请号：HK13109043

申请日：2013-08-02

Applicant: QUALCOMM INC

Inventor： RAO HARI M M ,  KIM JUNG PILL ,  KANG SEUNG H H ,  ZHU XIAOCHUN ,  KIM TAE HYUN ,  LEE KANGHO ,  LI XIA ,  HSU WAH NAM ,  HAO WUYANG ,  SUH JUNGWON ,  YU NICHOLAS K K ,  NOWAK MATTHEW MICHAEL ,  MILLENDORF STEVEN M M ,  ASHKENAZI ASAF

IPC: G11C20060101

公开(公告)号：CA2807392A1

公开(公告)日：2012-02-09

申请号：CA2807392

申请日：2011-08-03

Applicant: QUALCOMM INC

Inventor： RAO HARI M ,  KIM JUNG PILL ,  KANG SEUNG H ,  ZHU XIAOCHUN ,  KIM TAE HYUN ,  LEE KANGHO ,  LI XIA ,  HSU WAH NAM ,  HAO WUYANG ,  SUH JUNGWON ,  YU NICHOLAS K ,  NOWAK MATTHEW MICHAEL ,  MILLENDORF STEVEN M ,  ASHKENAZI ASAF

IPC: G11C17/16 ,  G11C11/16 ,  G11C17/02

Abstract: A method of generating a non - reversible state at a bitcell having a first magnetic tunnel junction (MTJ) and a second MTJ includes applying a program voltage to the first MTJ of the bitcell without applying the program voltage to the second MTJ of the bitcell. A memory device (102) includes a bitcell having a first MTJ (106) and a second MTJ (108) and programming circitry (104) configured to generate a non-reversible state at the bitcell by applying a program signal to a selected one of the first MTJ and the second MTJ of the bitcell.

公开(公告)号：BR112013002528A2

公开(公告)日：2016-05-31

申请号：BR112013002528

申请日：2011-08-03

Applicant: QUALCOMM INC

Inventor： ASHKENAZI ASAF ,  RAO HARI M ,  KIM JUNG PILL ,  SUH JUNGWON ,  LEE KANGHO ,  NOWAK MATTHEW MICHAEL ,  YU NICHOLAS K ,  KANG SEUNG H ,  MILLENDORF STEVEN M ,  KIM TAE HYUN ,  HAO WUYANG ,  HSU WAH NAM ,  LI XIA ,  ZHU XIAOCHUN

IPC: G11C11/16 ,  G11C17/02 ,  G11C17/16

公开(公告)号：CA2807392C

公开(公告)日：2014-12-16

申请号：CA2807392

申请日：2011-08-03

Applicant: QUALCOMM INC

Inventor： RAO HARI M ,  KIM JUNG PILL ,  KANG SEUNG H ,  ZHU XIAOCHUN ,  KIM TAE HYUN ,  LEE KANGHO ,  LI XIA ,  HSU WAH NAM ,  HAO WUYANG ,  SUH JUNGWON ,  YU NICHOLAS K ,  NOWAK MATTHEW MICHAEL ,  MILLENDORF STEVEN M ,  ASHKENAZI ASAF

IPC: G11C17/16 ,  G11C11/16 ,  G11C17/02

Abstract: A method of generating a non - reversible state at a bitcell having a first magnetic tunnel junction (MTJ) and a second MTJ includes applying a program voltage to the first MTJ of the bitcell without applying the program voltage to the second MTJ of the bitcell. A memory device (102) includes a bitcell having a first MTJ (106) and a second MTJ (108) and programming circitry (104) configured to generate a non-reversible state at the bitcell by applying a program signal to a selected one of the first MTJ and the second MTJ of the bitcell.