公开(公告)号：MX2007006033A

公开(公告)日：2007-07-20

申请号：MX2007006033

申请日：2005-11-16

Applicant: QUALCOMM INC

Inventor： CHUN DEXTER TAMIO ,  PATIL AJIT ,  HUANG IAN ,  CHAN JASON ,  GOLD TIMOTHY

IPC: G11C7/00

Abstract: Se describen tecnicas para tener acceso de manera rapida y confiable a un dispositivo de memoria (por ejemplo, una memoria rapida NAND) con temporizador de interfaz adaptiva; para el acceso de memoria con temporizador de interfaz adaptiva, la memoria rapida NAND es accesada a una velocidad de acceso de memoria inicial, la cual puede ser la velocidad pronosticada para lograr el acceso de memoria confiable; la codificacion de correccion de error (ECC), la cual a menudo se emplea para memoria rapida NAND, es entonces utilizada par asegurar el acceso confiable de la memoria rapida NAND; para una operacion de lectura, una pagina de datos se lee a la vez de la memoria rapida NAND, y la ECC determina si la lectura de la pagina de la memoria rapida NAND contiene errores; si se encuentran errores, entonces se selecciona una velocidad de acceso de memoria mas baja, y la pagina con error es leida nuevamente de la memoria rapida NAND a la nueva velocidad; las tecnicas se pueden utilizar para escribir datos en la memoria rapida NAND.

公开(公告)号：WO2006055717A3

公开(公告)日：2006-09-14

申请号：PCT/US2005041692

申请日：2005-11-16

Applicant: QUALCOMM INC ,  CHUN DEXTER TAMIO ,  PATIL AJIT ,  HUANG IAN ,  CHAN JASON ,  GOLD TIMOTHY

Inventor： CHUN DEXTER TAMIO ,  PATIL AJIT ,  HUANG IAN ,  CHAN JASON ,  GOLD TIMOTHY

IPC: G11C7/10

CPC classification number: G11C29/028 ,  G06F9/4403 ,  G06F9/44505 ,  G06F11/1068 ,  G11C7/1006 ,  G11C7/1045 ,  G11C7/22 ,  G11C16/04 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/26 ,  G11C16/32 ,  G11C29/42 ,  G11C29/50 ,  G11C29/50012 ,  G11C2216/14

Abstract: Techniques for quickly and reliably accessing a memory device (e.g., a NAND Flash memory) with adaptive interface timing are described. For memory access with adaptive interface timing, the NAND Flash memory is accessed at an initial memory access rate, which may be the rate predicted to achieve reliable memory access. Error correction coding (ECC), which is often employed for NAND Flash memory, is then used to ensure reliable access of the NAND Flash. For a read operation, one page of data is read at a time from the NAND Flash memory, and the ECC determines whether the page read from the NAND Flash memory contains any errors. If errors are encountered, then a slower memory access rate is selected, and the page with error is read again from the NAND Flash memory at the new rate. The techniques may be used to write data to the NAND Flash memory.

Abstract translation: 描述了用于快速且可靠地访问具有自适应接口定时的存储器设备（例如，NAND闪存）的技术。 对于具有自适应接口时序的存储器访问，以初始存储器访问速率访问NAND闪存，该速率可能是预期实现可靠存储器访问的速率。 随后使用通常用于NAND闪存的纠错编码（ECC）来确保NAND闪存的可靠访问。 对于读取操作，每次从NAND闪存读取一页数据，并且ECC确定从NAND闪存读取的页面是否包含任何错误。 如果遇到错误，则选择较慢的存储器访问速率，然后以新速率从NAND闪存重新读取出现错误的页面。 这些技术可用于将数据写入NAND闪存。