公开(公告)号：BR112017017352B1

公开(公告)日：2022-12-13

申请号：BR112017017352

申请日：2016-01-26

Applicant: QUALCOMM INC

Inventor： AHMER RAZA SYED ,  CHIN-KWAN KIM ,  OMAR JAMES BCHIR ,  MILIND PRAVIN SHAH ,  RYAN DAVID LANE

IPC: H01L25/065 ,  H01L21/98 ,  H01L23/13

Abstract: PACOTE SEMICONDUTOR LADO A LADO. Trata-se de um pacote semicondutor para uma configuração de matriz lado a lado que pode incluir um substrato que tem uma cavidade, um interposto de ponte posicionado no interior da cavidade e que tem um lado ativo voltado para os lados ativos de uma primeira matriz e de uma segunda matriz e sobreposto parcialmente de modo horizontal à primeira matriz e à segunda matriz a fim de fornecer uma interconexão entre a primeira matriz e a segunda matriz, sendo que um elemento térmico é fixado às partes posteriores da primeira matriz e da segunda matriz a fim de fornecer uma trajetória de calor e de armazenamento de calor para a primeira matriz e para a segunda matriz.

公开(公告)号：BR112017017352A2

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：BR112017017352

申请日：2016-01-26

Applicant: QUALCOMM INC

Inventor： AHMER RAZA SYED ,  CHIN-KWAN KIM ,  MILIND PRAVIN SHAH ,  OMAR JAMES BCHIR ,  RYAN DAVID LANE

IPC: H01L21/98 ,  H01L23/13 ,  H01L25/065

Abstract: trata-se de um pacote semicondutor para uma configuração de matriz lado a lado que pode incluir um substrato que tem uma cavidade, um interposto de ponte posicionado no interior da cavidade e que tem um lado ativo voltado para os lados ativos de uma primeira matriz e de uma segunda matriz e sobreposto parcialmente de modo horizontal à primeira matriz e à segunda matriz a fim de fornecer uma interconexão entre a primeira matriz e a segunda matriz, sendo que um elemento térmico é fixado às partes posteriores da primeira matriz e da segunda matriz a fim de fornecer uma trajetória de calor e de armazenamento de calor para a primeira matriz e para a segunda matriz.

公开(公告)号：BR112016019464A2

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：BR112016019464

申请日：2015-02-11

Applicant: QUALCOMM INC

Inventor： ARISTOTELE HADJICHRISTOS ,  RYAN DAVID LANE ,  XIAONAN ZHANG ,  YOUNG KYU SONG ,  YUNSEO PARK

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/522

公开(公告)号：BR112016024898A2

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：BR112016024898

申请日：2015-04-28

Applicant: QUALCOMM INC

Inventor： CHARLES DAVID PAYNTER ,  RUEY KAE ZANG ,  RYAN DAVID LANE ,  YUE LI

IPC: H01L23/50 ,  H01L23/528 ,  H05K1/02

Abstract: alguns recursos inovadores pertencem a um dispositivo integrado que inclui uma primeira camada de metal e uma segunda camada de metal. a primeira camada de metal inclui um primeiro conjunto de regiões. o primeiro conjunto de regiões inclui uma primeira estrutura de netlist para uma rede de distribuição de potência (pdn) do dispositivo integrado. a segunda camada de metal inclui um segundo conjunto de regiões. o segundo conjunto de regiões inclui uma segunda estrutura de netlist da pdn do dispositivo integrado. em algumas implantações, a segunda camada de metal inclui adicionalmente um terceiro conjunto de regiões que compreende a primeira estrutura de netlist para a pdn do dispositivo integrado. em algumas implantações, a primeira camada de metal inclui um terceiro conjunto de regiões que inclui uma terceira estrutura de netlist para a pdn do dispositivo integrado. o terceiro conjunto de regiões não é sobreposto ao primeiro conjunto de regiões da primeira camada de metal.

公开(公告)号：AR095457A1

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：ARP140100641

申请日：2014-02-27

Applicant: QUALCOMM INC

Inventor： BABAK NEJATI ,  YOUNG KYU SONG ,  YUNSEO PARK ,  XIAONAN ZHANG ,  RYAN DAVID LANE ,  ARISTOTELE HADJICHRISTOS ,  XIAOMING CHEN

IPC: H01L23/522

Abstract: Dispositivo semiconductor que incluye una placa de circuito impreso (PCB), un conjunto de puntos de soldadura y una microplaqueta. La PCB incluye una primera capa de metal. El conjunto de puntos de soldadura se encuentra acoplado a la PCB. La microplaqueta se encuentra acoplada a la PCB a través del conjunto de puntos de soldadura. La microplaqueta incluye una segunda capa de metal y una tercera capa de metal. La primera capa de metal de la PCB, el conjunto de puntos de soldadura, y las capas de metal segunda y tercera de la microplaqueta se encuentran configuradas para funcionar como un inductor en el dispositivo semiconductor. En algunas implementaciones, la microplaqueta además incluye una capa de pasivación. La capa de pasivación se encuentra posicionada entre la segunda capa de metal y la tercera capa de metal. En algunas implementaciones, la segunda capa de metal se encuentra posicionada entre la capa de pasivación y el conjunto de puntos de soldadura.