公开(公告)号：MXPA06009583A

公开(公告)日：2007-03-26

申请号：MXPA06009583

申请日：2005-02-16

Applicant: QUALCOMM INC

Inventor： GAGNE JUSTIN ,  VEATCH MARK S ,  LANE RYAN

IPC: H01L23/50 ,  H01L23/498 ,  H05K1/00 ,  H05K1/02 ,  H05K1/11

Abstract: Un dispositivo semiconductor de alta velocidad incluye un substrato que tiene una superficie de substrato superior, una superficie de substrato inferior, y una periferia que guia superficies de substrato superior e inferior, el substrato ademas tiene una traza a tierra de substrato superior que provee la trayectoria electrica a la superficie de substrato inferior a traves de una via a tierra de substrato; una disposicion de esferas de soldadura fijas a la superficie de substrato inferior, la disposicion de esferas de soldadura incluye una pluralidad de esferas de soldadura a tierra colocadas en la periferia y electricamente conectadas a la via a tierra del substrato.