公开(公告)号：US20020045287A1

公开(公告)日：2002-04-18

申请号：US09881744

申请日：2001-06-18

Applicant: RANDOX LABORATORIES LIMITED

Inventor： Harold S. Gamble ,  S.J. Neil Mitchell ,  Andrzej Prochaska ,  Stephen Peter Fitzgerald

IPC: H01L021/00

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B41J2/16 ,  B41J2/1623 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1632 ,  B41J2/1639 ,  B81B2203/0315 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0146

Abstract: A method of manufacturing a diaphragm utilizing a precision grinding technique after etching a cavity in a wafer. A technique for preventing distortion of the diaphragm based on use of a sacrificial layer of porous silicon is disclosed.

Abstract translation: 在蚀刻晶片中的空腔之后利用精密研磨技术制造隔膜的方法。 公开了一种基于使用多孔硅牺牲层防止隔膜变形的技术。