公开(公告)号：CN101796627B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200880105332.9

申请日：2008-09-01

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： A·加尼尔

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L33/0079

Abstract: 本发明涉及一种获得混合衬底的工艺，所述混合衬底包括至少一个III/N型氮化物材料的有源层，其用于电子学领域的应用，其特征在于所述工艺包括以下步骤：选择III/N型氮化物材料制成的源衬底(1)，所述氮化物材料具有六方晶系单晶晶体学结构；为了在所述衬底的内部形成一定量的限定弱化区域(13)的纳米凹陷，以等于或者大于1×1016He+/cm2至1×1017He+/cm2的注入剂量，通过源衬底(1)的一个被称为“注入面″(10)的面，执行He+氦离子至源衬底(1)中的注入，所述注入面位于平行或基本平行于所述氮化物材料的晶体学“c”轴的平面中，其中所述弱化区域限定所述有源层(14)；以及通过施加总能量预算转移所述有源层(14)，所述总能量预算能够导致所述有源层(14)从源衬底(1)被分离，所述预算至少包括能够导致所述纳米凹陷生长成凹陷(12’)的热预算的应用。

公开(公告)号：CN101796627A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN200880105332.9

申请日：2008-09-01

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： A·加尼尔

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L33/0079

Abstract: 本发明涉及一种获得混合衬底的工艺，所述混合衬底包括至少一个III/N型氮化物材料的有源层，其用于电子学领域的应用，其特征在于所述工艺包括以下步骤：选择III/N型氮化物材料制成的源衬底(1)，所述氮化物材料具有六方晶系单晶晶体学结构；为了在所述衬底的内部形成一定量的限定弱化区域(13)的纳米凹陷，以等于或者大于1×1016He+/cm2至1×1017He+/cm2的注入剂量，通过源衬底(1)的一个被称为“注入面″(10)的面，执行He+氦离子至源衬底(1)中的注入，所述注入面位于平行或基本平行于所述氮化物材料的晶体学“c”轴的平面中，其中所述弱化区域限定所述有源层(14)；以及通过施加总能量预算转移所述有源层(14)，所述总能量预算能够导致所述有源层(14)从源衬底(1)被分离，所述预算至少包括能够导致所述纳米凹陷生长成凹陷(12’)的热预算的应用。