公开(公告)号：CN102017125A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980115232.9

申请日：2009-08-06

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： A·卡斯泰 ,  M·布鲁卡特

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76251

Abstract: 本发明涉及一种起动分子键合的方法，包括使第一晶片(30)的一个表面(31)面对第二晶片(20)的一个表面(21)，并起动两个面对的表面之间的接触点。例如使用工具(50)的支承元件(51)，通过向两个晶片之一施加在0.1MPa到33.3MPa的范围内的机械压力起动接触点。

公开(公告)号：CN102349149B

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201080011159.3

申请日：2010-03-04

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： A·卡斯泰 ,  M·布鲁卡特

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/2007

Abstract: 一种制造复合结构的方法，包括在第一衬底(100)的一面上制造第一层微元件(110)的制造步骤，在制造所述微元件(110)的过程中，所述第一衬底贴合地固定在第一支撑件(121)的固定表面(121a)上；还包括将第一衬底(100)的包含该层微元件(110)的面键合到第二衬底(200)上的键合步骤。在所述键合步骤期间，第一衬底(100)贴合地固定在第二支撑件(221)上，该第二支撑件(221)的固定表面(221a)的平面度小于或等于在第一层微元件(110)的制造过程中采用的第一支撑件(120)的平面度。

公开(公告)号：CN102349149A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201080011159.3

申请日：2010-03-04

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： A·卡斯泰 ,  M·布鲁卡特

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/2007

Abstract: 一种制造复合结构的方法，包括在第一衬底(100)的一面上制造第一层微元件(110)的制造步骤，在制造所述微元件(110)的过程中，所述第一衬底贴合地固定在第一支撑件(121)的固定表面(121a)上；还包括将第一衬底(100)的包含该层微元件(110)的面键合到第二衬底(200)上的键合步骤。在所述键合步骤期间，第一衬底(100)贴合地固定在第二支撑件(221)上，该第二支撑件(221)的固定表面(221a)的平面度小于或等于在第一层微元件(110)的制造过程中采用的第一支撑件(120)的平面度。