公开(公告)号：CN102194667A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110009524.3

申请日：2011-01-12

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： A·沃弗里达茨 ,  S·莫利纳里

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  B24B9/06

CPC classification number: H01L21/76256 ,  H01L21/304 ,  H01L27/1464

Abstract: 本发明涉及使用热机械作用通过修整制造多层结构的过程。包括：键合步骤(S1)，将第一晶片(110)键合到第二晶片(120)上，至少所述第一晶片具有倒角边缘，键合界面具有小于或等于1J/m2的粘附能量；以及减薄步骤(S3，S4)，减薄所述第一晶片，以便形成转移层(115)。在减薄所述第一晶片之前，使用砂轮执行修整所述第一晶片的边缘的修整步骤，所述砂轮的工作面包括平均尺寸大于或等于800目或者小于或等于18微米的砂粒，使所述砂轮以大于或等于每秒钟5微米的下降速度下降，此外在距离所述键和界面的高度小于或等于30μm的高度(h110)处使所述砂轮停止向所述第一晶片中下降，从而执行所述修整步骤。