公开(公告)号：CN1774798B

公开(公告)日：2010-04-28

申请号：CN03822305.8

申请日：2003-09-17

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： T·阿卡兹 ,  B·吉塞林

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76259 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76256 ,  Y10S438/933

Abstract: 用于从晶片(10)形成有用层(6)的方法，该晶片(10)包括分别从结晶材料选择的支撑衬底(1)和应变层(2)。该方法包括：第一步骤，通过产生可引起应变层(2)中弹性应变的至少相对松弛的结构性摄动以限定的深度在支撑衬底(1)形成摄动区域(3)；第二步骤，提供能量，以引起应变层(2)中的弹性应变的至少相对松弛；第三步骤，从该松弛的应变层(2)的相对侧移除晶片(10)的一部分，有用层(6)为晶片(10)剩余的部分。本发明还涉及该方法的应用及在该过程中产生的晶片。

公开(公告)号：CN1774798A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN03822305.8

申请日：2003-09-17

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： T·阿卡兹 ,  B·吉塞林

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76259 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76256 ,  Y10S438/933

Abstract: 用于从晶片(10)形成有用层(6)的方法，该晶片(10)包括分别从结晶材料选择的支撑衬底(1)和应变层(2)。该方法包括：第一步骤，通过产生可引起应变层(2)中弹性应变的至少相对松弛的结构性摄动以限定的深度在支撑衬底(1)形成摄动区域(3)；第二步骤，提供能量，以引起应变层(2)中的弹性应变的至少相对松弛；第三步骤，从该松弛的应变层(2)的相对侧移除晶片(10)的一部分，有用层(6)为晶片(10)剩余的部分。本发明还涉及该方法的应用及在该过程中产生的晶片。