公开(公告)号：CN1666330A

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：CN03816203.2

申请日：2003-07-09

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： B·吉瑟伦 ,  C·奥涅特 ,  B·奥斯特诺德

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76259 ,  H01L21/76254

Abstract: 一种制造包括从晶片(10)获得的半导体材料的薄层的结构的方法，晶片(10)包括：晶格参数匹配层(2)，该晶格参数匹配层(2)包括具有第一晶格参数的半导体材料的上层；半导体材料的膜(3)，其具有基本上不同于第一晶格参数的标称晶格参数并被匹配层(2)应变；具有基本上与第一晶格参数相同的标称晶格参数的松弛层(4)，该方法包括松弛层(4)和应变膜(3)向接收衬底(5)的转移。还提供根据本发明的工艺之一制造的结构。

公开(公告)号：CN1685496A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN03822785.1

申请日：2003-08-26

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： B·吉瑟伦 ,  C·奥涅特 ,  B·奥斯特诺德 ,  Y-M·勒瓦扬 ,  T·赤津

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/02032 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76256 ,  H01L21/76259

Abstract: 提供一种在移去至少一个有用层之后再循环施主晶片(10)的方法，该施主晶片(10)依次包括衬底(1)、缓冲结构(I)和移去之前的有用层。该方法包括在进行移去操作的一侧上除去涉及施主晶片(10)的一部分的物质，从而在除去物质之后，保留至少一部分缓冲结构(I)，它能在后来的有用层移去操作期间被再用作至少一部分缓冲结构(I)。本发明还涉及：一种制造能根据本发明被再循环的施主晶片(10)的方法；从可以根据本发明再循环的施主晶片(10)移去薄层的方法；能根据本发明被再循环的施主晶片(10)。

公开(公告)号：CN100358124C

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200480011824.3

申请日：2004-06-03

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 ,  原子能源局

Inventor： B·吉瑟伦 ,  C·奥涅特 ,  B·巴泰络 ,  C·梅热 ,  H·莫里索

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76254 ,  Y10S438/977

Abstract: 本发明涉及一种用于同时得到至少一对结构(51，52)的方法，每一个结构具有由有用层(110，120)覆盖在衬底(71，2)上。该方法的特征在于包含如下的步骤，包括：a)准备行(1)结构，其具有放在支持衬底(2)上的有用层；b)在所述有用层内部形成弱化区，从而定义前面有用层(110)和后面有用层(120)；c)将加强衬底(71)附着到所述前面有用层(120)；d)沿着弱化区分离叠层以得到两个行结构(2)，第一个(51)包括支持衬底(2)和后面有用区(120)，并且第二个(52)包括增强衬底(71)和前面有用层(110)。本发明用于电子学、光电子或光学领域。

公开(公告)号：CN1781188A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200480011824.3

申请日：2004-06-03

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 ,  原子能源局

Inventor： B·吉瑟伦 ,  C·奥涅特 ,  B·巴泰络 ,  C·梅热 ,  H·莫里索

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76254 ,  Y10S438/977

Abstract: 本发明涉及一种用于同时得到至少一对结构(51，52)的方法，每一个结构具有由有用层(110，120)覆盖在衬底(71，2)上。该方法的特征在于包含如下的步骤，包括：a)准备行(1)结构，其具有放在支持衬底(2)上的有用层；b)在所述有用层内部形成弱化区，从而定义前面有用层(110)和后面有用层(120)；c)将加强衬底(71)附着到所述前面有用层(120)；d)沿着弱化区分离叠层以得到两个行结构(2)，第一个(51)包括支持衬底(2)和后面有用区(120)，并且第二个(52)包括增强衬底(71)和前面有用层(110)。本发明用于电子学、光电子或光学领域。

公开(公告)号：CN100547760C

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN03822785.1

申请日：2003-08-26

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： B·吉瑟伦 ,  C·奥涅特 ,  B·奥斯特诺德 ,  Y-M·勒瓦扬 ,  T·赤津

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/02032 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76256 ,  H01L21/76259

Abstract: 提供一种在移去至少一个有用层之后再循环施主晶片(10)的方法，该施主晶片(10)依次包括衬底(1)、缓冲结构(I)和移去之前的有用层。该方法包括在进行移去操作的一侧上除去涉及施主晶片(10)的一部分的物质，从而在除去物质之后，保留至少一部分缓冲结构(I)，它能在后来的有用层移去操作期间被再用作至少一部分缓冲结构(I)。本发明还涉及：-一种制造能根据本发明被再循环的施主晶片(10)的方法；-从可以根据本发明再循环的施主晶片(10)移去薄层的方法；-能根据本发明被再循环的施主晶片(10)。

公开(公告)号：CN100477150C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN03816203.2

申请日：2003-07-09

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： B·吉瑟伦 ,  C·奥涅特 ,  B·奥斯特诺德

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76259 ,  H01L21/76254

Abstract: 一种制造包括从晶片(10)获得的半导体材料的薄层的结构的方法，晶片(10)包括：晶格参数匹配层(2)，该晶格参数匹配层(2)包括具有第一晶格参数的半导体材料的上层；半导体材料的膜(3)，其具有基本上不同于第一晶格参数的标称晶格参数并被匹配层(2)应变；具有基本上与第一晶格参数相同的标称晶格参数的松弛层(4)，该方法包括松弛层(4)和应变膜(3)向接收衬底(5)的转移。还提供根据本发明的工艺之一制造的结构。