公开(公告)号：CN101173359B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200710180983.1

申请日：2007-10-10

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： A·阿尔迪 ,  J·梅利斯 ,  B·科尔本茨恩

IPC: C23F1/24

CPC classification number: C09K13/08 ,  G01N2033/0095

Abstract: 本发明涉及表征硅表面缺陷，特别是硅晶片表面缺陷的方法，用蚀刻溶液处理硅表面的方法以及在本发明的方法和工艺中用到的蚀刻溶液。

公开(公告)号：CN101173359A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200710180983.1

申请日：2007-10-10

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： A·阿尔迪 ,  J·梅利斯 ,  B·科尔本茨恩

IPC: C23F1/24

CPC classification number: C09K13/08 ,  G01N2033/0095

Abstract: 本发明涉及表征硅表面缺陷，特别是硅晶片表面缺陷的方法，用蚀刻溶液处理硅表面的方法以及在本发明的方法和工艺中用到的蚀刻溶液。