公开(公告)号：CN102341900B

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN200980157864.1

申请日：2009-12-24

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： C·科尔纳

IPC: H01L21/62

CPC classification number: H01L21/2007

Abstract: 一种制造异质结构(200)的方法，包括将具有第一热膨胀系数的至少一个第一衬底(110)键合到具有第二热膨胀系数的第二衬底(120)上，所述第一热膨胀系数不同于所述第二热膨胀系数。在键合之前，在两个衬底的其中之一上从所述衬底(110)的键合面(110a)开始形成沟道(111)。用具有介于所述第一热膨胀系数和所述第二热膨胀系数之间的第三热膨胀系数的材料(130)填充所述沟道(111)。

公开(公告)号：CN102341900A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN200980157864.1

申请日：2009-12-24

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： C·科尔纳

IPC: H01L21/62

CPC classification number: H01L21/2007

Abstract: 一种制造异质结构(200)的方法，包括将具有第一热膨胀系数的至少一个第一衬底(110)键合到具有第二热膨胀系数的第二衬底(120)上，所述第一热膨胀系数不同于所述第二热膨胀系数。在键合之前，在两个衬底的其中之一上从所述衬底(110)的键合面(110a)开始形成沟道(111)。用具有介于所述第一热膨胀系数和所述第二热膨胀系数之间的第三热膨胀系数的材料(130)填充所述沟道(111)。