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公开(公告)号：CN100524620C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200610001992.5
申请日：2006-01-25
Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
IPC: H01L21/20 , H01L21/762 , H01L21/84
CPC classification number: H01L21/76254 , C30B15/00 , C30B29/06 , C30B33/00 , H01L21/02032 , H01L21/3226
Abstract: 按照本发明的第一方面，涉及一种用于制造衬底的方法，该衬底包括半导体材料的薄层和支撑衬底，通过将具有第一密度的空位团的施主衬底的一部分转移到支撑衬底上而形成所述的薄层，其特征在于：该方法包括：在将施主衬底的所述部分转移到支撑衬底之后，补救存在于被转移到支撑衬底上的施主衬底的该部分中的空位团的步骤，使其从第一密度降低到第二密度;在所述补救步骤之前，采用一个或几个步骤使得不增加在施主衬底的所述部分中具有第一密度的空位团的尺寸。本发明还涉及通过此方法获得的SeOI衬底，以及用于循环利用衬底的方法，该衬底具有空位团并且已经被用作施主衬底，从其上获得薄层并转移到支撑衬底上。
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公开(公告)号：CN100411134C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200480021578.X
申请日：2004-07-29
Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
IPC: H01L21/762
CPC classification number: H01L21/76254
Abstract: 本发明涉及一种用于制造在衬底上的包括半导体材料薄层的结构的方法，包括如下阶段：·在必须由其制作薄层的施主衬底的表面下进行粒子注入，以便在施主衬底的厚度中生成脆化区，·在进行注入之后，将施主衬底的表面与支撑衬底紧密接触，·在脆化区处分离施主衬底，以将施主衬底的一部分转移到支撑衬底上并且在支撑衬底上形成薄层，其特征在于：·注入阶段进行至少两种不同原子种类的共同注入，以便使在分离之后获得的结构水平面处的低频粗糙度降低到最小；·以及该方法进一步包括包含至少一种快速热退火操作的精整步骤，以便使在分离之后获得的结构水平面处的高频粗糙度降低到最小。
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公开(公告)号：CN1830077A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200480021578.X
申请日：2004-07-29
Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
IPC: H01L21/762
CPC classification number: H01L21/76254
Abstract: 本发明涉及一种用于制造在衬底上的包括半导体材料薄层的结构的方法，包括如下阶段：·在必须由其制作薄层的施主衬底的表面下进行粒子注入，以便在施主衬底的厚度中生成脆化区，·在进行注入之后，将施主衬底的表面与支撑衬底紧密接触，·在脆化区处分离施主衬底，以将施主衬底的一部分转移到支撑衬底上并且在支撑衬底上形成薄层，其特征在于：·注入阶段进行至少两种不同原子种类的共同注入，以便使在分离之后获得的结构水平面处的低频粗糙度降低到最小；·以及该方法进一步包括包含至少一种快速热退火操作的精整步骤，以便使在分离之后获得的结构水平面处的高频粗糙度降低到最小。
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公开(公告)号：CN1828830A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610001992.5
申请日：2006-01-25
Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
IPC: H01L21/20 , H01L21/762 , H01L21/84
CPC classification number: H01L21/76254 , C30B15/00 , C30B29/06 , C30B33/00 , H01L21/02032 , H01L21/3226
Abstract: 按照本发明的第一方面，涉及一种用于制造衬底的方法，该衬底包括半导体材料的薄层和支撑衬底，通过将具有第一密度的空位团的施主衬底的一部分转移到支撑衬底上而形成所述的薄层，其特征在于：该方法包括：在将施主衬底的所述部分转移到支撑衬底之后，补救存在于被转移到支撑衬底上的施主衬底的该部分中的空位团的步骤，使其从第一密度降低到第二密度；在所述补救步骤之前，采用一个或几个步骤使得不增加在施主衬底的所述部分中具有第一密度的空位团的尺寸。本发明还涉及通过此方法获得的SeOI衬底，以及用于循环利用衬底的方法，该衬底具有空位团并且已经被用作施主衬底，从其上获得薄层并转移到支撑衬底上。
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