公开(公告)号：CN1947248B

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN200580012304.9

申请日：2005-03-10

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： F·阿利贝尔 ,  F·布吕尼耶

IPC: H01L23/544

CPC classification number: H01L22/34 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供多层结构的工作层的处理方法及其器件。根据第一个实施例，本发明涉及用于处理由半导体材料构成的多层结构的导电工作层的方法，该结构包括在所述工作层下面的电绝缘层，将所述处理限定到在所述工作层中构成被电绝缘层材料围绕的至少一个岛，该方法包括湿法化学刻蚀工作层的步骤，方法的特征在于，在湿法刻蚀步骤之前，为了在该工作层中构成几个岛，实现所述工作层的几个区的可选择掩膜，工作层被掩膜的每个区对应于各个岛。本发明还提出了该方法应用于该结构的电特性以及相关的器件的特性描述。

公开(公告)号：CN1947248A

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200580012304.9

申请日：2005-03-10

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： F·阿利贝尔 ,  F·布吕尼耶

IPC: H01L23/544

CPC classification number: H01L22/34 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 根据第一个实施例，本发明涉及用于处理由半导体材料构成的多层结构的导电工作层的方法，该结构包括在所述工作层下面的电绝缘层，将所述处理限定到在所述工作层中构成被电绝缘层材料围绕的至少一个岛，该方法包括湿法化学刻蚀工作层的步骤，方法的特征在于，在湿法刻蚀步骤之前，为了在该工作层中构成几个岛，实现所述工作层的几个区的可选择掩膜，每个区被对应于各个岛的工作层掩膜。本发明还提出了该方法应用于该结构的电特性以及相关的器件的特性描述。