公开(公告)号：CN102007394B

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN200980113811.X

申请日：2009-04-24

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： A·达巴迪 ,  B·科尔贝森 ,  J·梅尔里斯

IPC: G01N1/32

CPC classification number: G01N1/32 ,  C09K13/04 ,  C09K13/08 ,  H01L21/67063

Abstract: 本发明提供了一种适于处理各种含硅表面，包括在绝缘体表面上的应变硅以及应力硅表面的无铬刻蚀组合物。本发明的新型和独创的刻蚀组合物包含氢氟酸、硝酸、乙酸和优选为碘化钾的碱金属碘化物。

公开(公告)号：CN102007394A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200980113811.X

申请日：2009-04-24

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： A·达巴迪 ,  B·科尔贝森 ,  J·梅尔里斯

IPC: G01N1/32

CPC classification number: G01N1/32 ,  C09K13/04 ,  C09K13/08 ,  H01L21/67063

Abstract: 本发明提供了一种适于处理各种含硅表面，包括在绝缘体表面上的应变硅以及应力硅表面的无铬刻蚀组合物。本发明的新型和独创的刻蚀组合物包含氢氟酸、硝酸、乙酸和优选为碘化钾的碱金属碘化物。