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公开(公告)号：CN102396051A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201080016933.X
申请日：2010-04-20
Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
IPC: H01L21/306 , H01L21/762
CPC classification number: H01L21/30604 , H01L21/76254
Abstract: 本发明涉及一种减薄初始绝缘体上硅SOI衬底的方法，该衬底包括掩埋于硅承载衬底(2)和硅表面层之间的二氧化硅SiO2层(3)。所述方法的特征在于其包括进行以下连续的步骤：对所述初始衬底进行热氧化处理以引起所述硅表面层的部分的氧化；第一周期、然后第二周期的蚀刻和清洗；执行第一周期的蚀刻从而充分地将所形成的热氧化物去除，并且清除所述初始衬底的边缘的所有的不稳定部分。执行第二周期的蚀刻从而从所述被减薄的衬底的表面上，去除形成且沉积于其上的污染粒子(5)，从而获得最终绝缘体上硅SOI衬底(1′)，其被减薄的表面层(4′)形成有源层。
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