公开(公告)号：CN101855709B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN200880109291.0

申请日：2008-09-26

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： M·布吕埃尔

IPC: H01L21/268

CPC classification number: H01L21/268

Abstract: 本发明涉及一种采用至少一个光流脉冲加热包括至少一个待加热层(2)以及子层(4)的板(1)的方法，其中所述方法包括以下步骤：选择光流(7)和待加热层(2)，使得只要待加热层的温度处于低温范围(PBT)内，则待加热层(2)对流的吸收系数保持是低的，并且当待加热层的温度进入到高温范围(PHT)内时，吸收系数显著增加；选择子层(4)，使得在所述低温范围(PBT)内所选波长的所述光流的吸收系数是高的，并且当所述子层受到所述光流作用时，温度进入到高温范围(PHT)；以及向所述板(1)施加所述光流(7)。

公开(公告)号：CN101855709A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200880109291.0

申请日：2008-09-26

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： M·布吕埃尔

IPC: H01L21/268

CPC classification number: H01L21/268

Abstract: 本发明涉及一种采用至少一个光流脉冲加热包括至少一个待加热层(2)以及子层(4)的板(1)的方法，其中所述方法包括以下步骤：选择光流(7)和待加热层(2)，使得只要待加热层的温度处于低温范围(PBT)内，则待加热层(2)对流的吸收系数保持是低的，并且当待加热层的温度进入到高温范围(PHT)内时，吸收系数显著增加；选择子层(4)，使得在所述低温范围(PBT)内所选波长的所述光流的吸收系数是高的，并且当所述子层受到所述光流作用时，温度进入到高温范围(PHT)；以及向所述板(1)施加所述光流(7)。