公开(公告)号：CN102203911B

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN200980144110.2

申请日：2009-10-27

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： M·布吕尔

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/268 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/268 ,  H01L21/221

Abstract: 本发明涉及用于至少局部加热薄板的方法和设备，所述薄板包括至少一个待加热的层(2)和至少一个启动区域(4)，所述待加热的层(2)将被至少一个主光流脉冲至少局部加热，所述启动区域(4)与所述待加热的层的前表面相比处于相对较深的位置，其中当所述待加热的层(2)的温度在高温范围(PHT)内时所述主光流(7)能够加热所述待加热的层(2)，启动次要加热装置(9)能够将所述启动区域从低温范围(PBT)内的温度加热到所述高温范围(PHT)内的温度。

公开(公告)号：CN102203911A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN200980144110.2

申请日：2009-10-27

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： M·布吕尔

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/268 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/268 ,  H01L21/221

Abstract: 本发明涉及用于至少局部加热薄板的方法和设备，所述薄板包括至少一个待加热的层(2)和至少一个启动区域(4)，所述待加热的层(2)将被至少一个主光流脉冲至少局部加热，所述启动区域(4)与所述待加热的层的前表面相比处于相对较深的位置，其中当所述待加热的层(2)的温度在高温范围(PHT)内时所述主光流(7)能够加热所述待加热的层(2)，启动次要加热装置(9)能够将所述启动区域从低温范围(PBT)内的温度加热到所述高温范围(PHT)内的温度。