公开(公告)号：CN100337319C

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN01809275.6

申请日：2001-04-17

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： M·罗什

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76254 ,  B23K26/40 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/16 ,  B23K2103/50

Abstract: 本发明涉及一种从一基体或块体切制出至少一个簿层而形成一种用于电子、光电或光学元件或传感器的方法，该方法包括步骤如下：在所述元件中形成一个脆化区域，该脆化区域的厚度对应于准备被切掉的层体的厚度；以及将一个能量脉冲注入到所述元件中，所述能量脉冲的持续时间不超过声波穿过这个用来吸收所述脉冲能量的厚度区域的时间，所述脉冲能量在选择上可使所述的脆化区域产生分离。

公开(公告)号：CN1428005A

公开(公告)日：2003-07-02

申请号：CN01809275.6

申请日：2001-04-17

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： M·罗什

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76254 ,  B23K26/40 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/16 ,  B23K2103/50

Abstract: 本发明涉及一种从一基体或块体切制出至少一个薄层而形成一种用于电子、光电或光学元件或传感器的方法，该方法包括步骤如下：在所述元件中形成一个脆化区域，该脆化区域的厚度对应于准备被切掉的层体的厚度；以及将一个能量脉冲注入到所述元件中，所述能量脉冲的持续时间不超过声波穿过这个用来吸收所述脉冲能量的厚度区域的时间，所述脉冲能量在选择上可使所述的脆化区域产生分离。