公开(公告)号：CN101809710B

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN200880108693.9

申请日：2008-09-23

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： H·阿比尔 ,  R·朗热

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/26 ,  H01L21/324 ,  H01L21/762 ,  H01L21/205 ,  C30B25/02

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L23/36 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种制造用于电子学、光学、光电子学或光伏学的结构(1)的方法，所述结构(1)包括衬底(10)和通过将材料沉积在所述衬底(10)的一个表面上而形成的层(20)，其特征在于该方法包括以下步骤：形成包括脆化区的脆化衬底，该脆化区一方面限定了所述衬底(10)，另一方面限定了剩余物，在所述脆化衬底的两个表面的每一个上沉积所述材料的层(20，21)，分裂所述脆化衬底从而形成所述结构(1)，其中衬底(10)的一表面(IB)被沉积的材料层(20)覆盖，而其另一表面(IA)暴露。

公开(公告)号：CN101809710A

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200880108693.9

申请日：2008-09-23

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： H·阿比尔 ,  R·朗热

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/26 ,  H01L21/324 ,  H01L21/762 ,  H01L21/205 ,  C30B25/02

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L23/36 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种制造用于电子学、光学、光电子学或光伏学的结构(1)的方法，所述结构(1)包括衬底(10)和通过将材料沉积在所述衬底(10)的一个表面上而形成的层(20)，其特征在于该方法包括以下步骤：形成包括脆化区的脆化衬底，该脆化区一方面限定了所述衬底(10)，另一方面限定了剩余物；在所述脆化衬底的两个表面的每一个上沉积所述材料的层(20，21)；分裂所述脆化衬底从而形成所述结构(1)，其中衬底(10)的一表面(IB)被沉积的材料层(20)覆盖，而其另一表面(IA)暴露。