公开(公告)号：CN102388162A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201080005892.4

申请日：2010-02-17

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： C·阿里纳 ,  R·T·小伯特伦 ,  E·林多

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  C30B23/06 ,  C30B25/14

CPC classification number: C23C16/34 ,  C23C16/45548 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45574 ,  C30B25/14 ,  C30B29/403 ,  Y10T137/6416

Abstract: 本发明提供了用于CVD(化学气相沉积)系统的改进的气体注射器，其在将气体注射至CVD反应室中之前将气体热能化。配置所提供的注射器以增加气体经过被加热区域的流动时间，并且该注射器包括气体输送导管，该气体输送导管延长气体在该被加热区域中的停留时间。所提供的注射器也具有经过尺寸设定、定型和配置从而将气体注射成选定的流型的出口。本发明也提供使用所提供的热能化气体注射器的CVD系统。本发明在高容量制造GaN衬底上具有特别的应用。

公开(公告)号：CN102388162B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201080005892.4

申请日：2010-02-17

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： C·阿里纳 ,  R·T·小伯特伦 ,  E·林多

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  C30B23/06 ,  C30B25/14

CPC classification number: C23C16/34 ,  C23C16/45548 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45574 ,  C30B25/14 ,  C30B29/403 ,  Y10T137/6416

Abstract: 本发明提供了用于CVD(化学气相沉积)系统的改进的气体注射器，其在将气体注射至CVD反应室中之前将气体热能化。配置所提供的注射器以增加气体经过被加热区域的流动时间，并且该注射器包括气体输送导管，该气体输送导管延长气体在该被加热区域中的停留时间。所提供的注射器也具有经过尺寸设定、定型和配置从而将气体注射成选定的流型的出口。本发明也提供使用所提供的热能化气体注射器的CVD系统。本发明在高容量制造GaN衬底上具有特别的应用。