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公开(公告)号：CN102197473A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200980143152.4
申请日：2009-10-29
Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
IPC: H01L21/762
CPC classification number: H01L21/187 , H01L21/76251
Abstract: 本发明涉及一种用于制造UTBOX型结构的方法，包括：a)组装被称为“施予”衬底(1)的衬底与被称为“接受”衬底(2)的衬底，两个衬底的至少其中之一包括厚度小于50nm的绝缘层(3)；b)在低于400℃的温度下的用于加强两个衬底之间的组装的第一热处理，其在组装过程中和/或在组装之后执行以加强所述组装；c)在高于900℃的温度下的第二热处理，在400℃和900℃之间的暴露时间在1分钟内或30秒以下。
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