公开(公告)号：CN101192510A

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200710186828.0

申请日：2007-11-22

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： W·林

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/30 ,  H01L21/306 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/02636

Abstract: 本发明涉及改善半导体衬底表面的方法，所述的表面至少包含部分硅。本发明的目的是提供改善半导体硅衬底表面的方法，所述的表面至少包含部分硅，其中用该方法使半导体衬底表面或其内部的缺陷能得以真正修复，以提供具有高表面性能的半导体衬底。本发明的目的用上述类型的方法能够达成，其中该方法包括沉积步骤，其包括在所述的半导体衬底表面的至少一个孔中进行选择性外延沉积。

公开(公告)号：CN101192510B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200710186828.0

申请日：2007-11-22

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： W·林

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/30 ,  H01L21/306 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/02636

Abstract: 本发明涉及改善半导体衬底表面的方法，所述的表面至少包含部分硅。本发明的目的是提供改善半导体硅衬底表面的方法，所述的表面至少包含部分硅，其中用该方法使半导体衬底表面或其内部的缺陷能得以真正修复，以提供具有高表面性能的半导体衬底。本发明的目的用上述类型的方法能够达成，其中该方法包括沉积步骤，其包括在所述的半导体衬底表面的至少一个孔中进行选择性外延沉积。