公开(公告)号：WO2011011601A2

公开(公告)日：2011-01-27

申请号：PCT/US2010042905

申请日：2010-07-22

Applicant: SAINT GOBAIN CERAMICS ,  PUJARI VIMAL K ,  JORGE ERIC ,  REILLY CHRISTOPHER J

Inventor： PUJARI VIMAL K ,  JORGE ERIC ,  REILLY CHRISTOPHER J

IPC: C04B35/565 ,  C04B35/56 ,  C04B35/563 ,  C04B35/64

CPC classification number: C04B35/565 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62695 ,  C04B2235/3821 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/424 ,  C04B2235/48 ,  C04B2235/5288 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/608 ,  C04B2235/723 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96

Abstract: A method of forming a sintered silicon carbide body includes mixing silicon carbide powder having an oxygen content of less than about 3 wt% and having a surface area in a range of between about 8 m /g and about 15 m /g, with boron carbide powder and carbon sintering aid to form a green silicon carbide body. Alternatively, a method of producing a sintered silicon carbide body includes mixing the silicon carbide powder with titanium carbide powder having an average particle diameter in a range of between about 5 nm and about 100 nm and with carbon sintering aid to form a green silicon carbide body. In another alternative, a method of forming a sintered silicon carbide body includes mixing silicon carbide powder with boron carbide powder, the titanium carbide powder, and carbon sintering aid to form a green silicon carbide body. After sintering, the silicon carbide bodies have a density at least 98% of the theoretical density of silicon carbide.

Abstract translation: 形成烧结碳化硅本体的方法包括将具有小于约3重量％的氧含量低于约8m 2 / g至约15m 2 / g的表面积的碳化硅粉末与碳化硼混合 粉末和碳烧结助剂形成绿色碳化硅体。 或者，制造烧结碳化硅体的方法包括将碳化硅粉末与平均粒径在约5nm至约100nm范围内的碳化钛粉末和碳烧结助剂混合以形成绿碳化硅体 。 在另一个替代方案中，形成烧结碳化硅本体的方法包括将碳化硅粉末与碳化硼粉末，碳化钛粉末和碳烧结助剂混合以形成绿碳化硅体。 烧结后，碳化硅体的密度为碳化硅理论密度的至少98％。

公开(公告)号：EP2459500A4

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：EP10802899

申请日：2010-07-22

Applicant: SAINT GOBAIN CERAMICS

Inventor： PUJARI VIMAL K ,  JORGE ERIC ,  REILLY CHRISTOPHER J

IPC: C04B35/565 ,  C04B35/56 ,  C04B35/563 ,  C04B35/64

CPC classification number: C04B35/565 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62695 ,  C04B2235/3821 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/424 ,  C04B2235/48 ,  C04B2235/5288 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/608 ,  C04B2235/723 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96

公开(公告)号：MX2010013467A

公开(公告)日：2011-01-21

申请号：MX2010013467

申请日：2009-06-12

Applicant: SAINT GOBAIN CERAMICS

Inventor： JORGE ERIC ,  LEVOY NANCY F ,  CORTELLINI EDMUND A

IPC: C04B35/573

Abstract: Un producto basado en carburo de silicio sinterizado por reacción que incluye un componente de carburo de silicio, un componente de enlace, donde el componente de enlace incluye oxinitruro de silicio que excede el nitruro de silicio del componente de enlace y al menos un componente de boro residual a una cantidad presente antes de la sinterización de la reacción para aumentar la resistencia del producto basado en carburo de silicio sinterizado por reacción al cambio volumétrico bajo estrés oxidativo y sus métodos de fabricación.

公开(公告)号：HUE036751T2

公开(公告)日：2018-07-30

申请号：HUE13169734

申请日：2009-06-12

Applicant: SAINT GOBAIN CERAMICS

Inventor： LEVOY NANCY ,  CORTELLINI EDMUND ,  JORGE ERIC