公开(公告)号：WO2014059920A1

公开(公告)日：2014-04-24

申请号：PCT/CN2013/085252

申请日：2013-10-15

Applicant: SHENZHEN BYD AUTO R&D COMPANY LIMITED ,  BYD COMPANY LIMITED

Inventor： ZHANG, Caiting ,  LIU, Kun ,  FU, Jingjun ,  HU, Wenge

IPC: H01L27/148 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1461 ,  H01L27/14616 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14698 ,  H04N5/378

Abstract: A pixel cell, a method for manufacturing the same and an image sensor comprising the same are provided. The pixel cell comprises: a substrate (101); a photodiode (103), a pass transistor (107) and a floating diffusion structure (104) respectively formed on the substrate (101), in which the pass transistor (107) is formed between the photodiode (103) and the floating diffusion structure (104); and a PINNED structure (105), formed on the substrate (101) and connected with the floating diffusion structure (104), in which a reset voltage of the floating diffusion structure (104) is higher than a depletion voltage of the PINNED structure (105).

Abstract translation: 提供像素单元，其制造方法和包括该像素单元的图像传感器。 像素单元包括：基板（101）; 分别形成在基板（101）上的光电二极管（103），通过晶体管（107）和浮动扩散结构（104），其中在光电二极管（103）和浮动扩散结构 （104）; 以及形成在所述基板（101）上并与所述浮动扩散结构（104）连接的PINNED结构（105），其中所述浮动扩散结构（104）的复位电压高于所述PINNED结构的耗尽电压（ 105）。

公开(公告)号：EP2909863B1

公开(公告)日：2019-02-27

申请号：EP13846925.9

申请日：2013-10-15

Applicant: BYD Company Limited

Inventor： ZHANG, Caiting ,  LIU, Kun ,  FU, Jingjun ,  HU, Wenge

IPC: H01L27/148 ,  H01L27/146