公开(公告)号：CN100351995C

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200380103500.8

申请日：2003-11-17

Applicant: SMC株式会社

Inventor： J·M·哈里斯 ,  S·帕特尔

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/44

CPC classification number: H01L22/20 ,  B81B7/0012 ,  B81B2201/054 ,  B81B2201/058 ,  B81C99/0045 ,  B81C2203/038 ,  F16K99/0001 ,  F16K99/0015 ,  F16K99/0034 ,  F16K99/0036 ,  F16K99/0059 ,  F16K2099/0074 ,  H01L21/02071 ,  H01L22/24 ,  H01L22/34

Abstract: 用来制造硅器件的润湿通道中的耐腐蚀槽的方法能使该器件与腐蚀性化合物，例如氟一同使用。MEMS器件的润湿通道用(1)耐原子氟侵蚀的有机化合物，或者(2)能被原子氟钝化的材料覆盖。然后，将该器件暴露在当通过等离子体放电活化时分解生成活性氟的气体中。该气体的一个例子是CF4，它是一种比操作挥发性的气体如ClF3要简单和安全的惰性气体。该气体将使所述材料(如果使用的话)钝化，并腐蚀任何露出的硅。以这样一种方式试验该器件：任何润湿通道的不可接受的腐蚀都将导致器件无法工作。如果该器件能正确地操作，则认为所述润湿通道耐氟或耐其它腐蚀性化合物(当它们使用时)的腐蚀。