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公开(公告)号:CN103987877A
公开(公告)日:2014-08-13
申请号:CN201280061724.6
申请日:2012-11-12
Applicant: SOITEC公司
CPC classification number: C23C16/482 , C23C16/303 , C23C16/52
Abstract: 淀积系统,包括反应室(102)、用于加热反应室中的物质的至少一个热辐射发射器(104)以及用于在反应室(102)内原位探测和/或测量工件衬底的特性的至少一个测量装置(106)。一个或多个室壁对于热辐射以及测量装置所接收的辐射信号可以是透明的,以允许辐射分别传入并传出反应室。至少一定体积的不透明材料这样放置,使其遮蔽测量装置(106)的传感器(108)免于热辐射中的至少一部分。形成淀积系统的方法包括提供一定体积的不透明材料,其位置使其遮蔽传感器免于热辐射。使用淀积系统的方法包括遮蔽传感器免于热辐射中的至少一部分。
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公开(公告)号:CN103987877B
公开(公告)日:2016-08-17
申请号:CN201280061724.6
申请日:2012-11-12
Applicant: SOITEC公司
CPC classification number: C23C16/482 , C23C16/303 , C23C16/52
Abstract: 淀积系统,包括反应室(102)、用于加热反应室中的物质的至少一个热辐射发射器(104)以及用于在反应室(102)内原位探测和/或测量工件衬底的特性的至少一个测量装置(106)。一个或多个室壁对于热辐射以及测量装置所接收的辐射信号可以是透明的,以允许辐射分别传入并传出反应室。至少一定体积的不透明材料这样放置,使其遮蔽测量装置(106)的传感器(108)免于热辐射中的至少一部分。形成淀积系统的方法包括提供一定体积的不透明材料,其位置使其遮蔽传感器免于热辐射。使用淀积系统的方法包括遮蔽传感器免于热辐射中的至少一部分。
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