-
公开(公告)号：CN103987877A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201280061724.6
申请日：2012-11-12
Applicant: SOITEC公司
CPC classification number: C23C16/482 , C23C16/303 , C23C16/52
Abstract: 淀积系统，包括反应室(102)、用于加热反应室中的物质的至少一个热辐射发射器(104)以及用于在反应室(102)内原位探测和/或测量工件衬底的特性的至少一个测量装置(106)。一个或多个室壁对于热辐射以及测量装置所接收的辐射信号可以是透明的，以允许辐射分别传入并传出反应室。至少一定体积的不透明材料这样放置，使其遮蔽测量装置(106)的传感器(108)免于热辐射中的至少一部分。形成淀积系统的方法包括提供一定体积的不透明材料，其位置使其遮蔽传感器免于热辐射。使用淀积系统的方法包括遮蔽传感器免于热辐射中的至少一部分。
-
公开(公告)号：CN103238203B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201180056302.5
申请日：2011-11-23
Applicant: SOITEC公司 , 代理并代表亚利桑那州立大学的亚利桑那董事会
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L29/0665 , C30B25/183 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02667
Abstract: 在基材上沉积III族氮化物半导体材料的方法包括在成核HVPE工艺阶段中在基材表面上沉积III族氮化物半导体材料的层，以形成具有包括至少一些非晶III族氮化物半导体材料的微结构的成核层。所述成核层可进行退火以在基材表面上形成外延成核材料的晶岛。所述外延成核材料的岛可在聚结HVPE工艺阶段中生长和聚结以形成外延成核材料的成核模板层。所述成核模板层可至少基本上覆盖基材的表面。可在另外的HVPE工艺阶段中在所述外延成核材料的成核模板层上沉积另外的III族氮化物半导体材料。通过这种方法形成包括III族氮化物半导体材料的最终结构和中间结构。
-
公开(公告)号：CN103370453A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201280008784.1
申请日：2012-02-17
Applicant: SOITEC公司
CPC classification number: C30B29/40 , C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/403
Abstract: 实施方案涉及半导体结构及其形成方法。在一些实施方案中，所述方法可用于制造III-V材料的半导体结构，如InGaN。通过调节诸如生长表面的温度的生长条件以产生过饱和区域，从而生长铟浓度在饱和区域以上的In-III-V半导体层，其中相对于饱和区域，In-III-V半导体层生长为具有减小的V形凹坑密度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108251890A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810163850.1
申请日：2012-02-17
Applicant: SOITEC公司
CPC classification number: C30B29/40 , C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/403
Abstract: 本发明涉及具有减少的凹坑缺陷的III‑V半导体结构及其形成方法。在一些实施方案中，所述方法可用于制造III‑V材料的半导体结构，如InGaN。通过调节诸如生长表面的温度的生长条件以产生过饱和区域，从而生长铟浓度在饱和区域以上的In‑III‑V半导体层，其中相对于饱和区域，In‑III‑V半导体层生长为具有减小的V形凹坑密度。
-
公开(公告)号：CN103237929B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201180056001.2
申请日：2011-11-23
Applicant: SOITEC公司 , 代理并代表亚利桑那州立大学的亚利桑那董事会
CPC classification number: H01L21/02104 , C30B25/02 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L29/2003
Abstract: 本发明的实施方案包括使用卤化物气相外延（HVPE）过程形成III族氮化物半导体结构的方法。所述方法包括在非同质生长基材的表面上形成连续的III族氮化物成核层，所述连续的III族氮化物成核层遮盖所述非同质生长基材的上表面。形成连续的III族氮化物成核层可包括形成III族氮化物层以及热处理所述III族氮化物层。该方法还可包括在所述连续的III族氮化物成核层上形成另外的III族氮化物层。
-
公开(公告)号：CN103987877B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201280061724.6
申请日：2012-11-12
Applicant: SOITEC公司
CPC classification number: C23C16/482 , C23C16/303 , C23C16/52
Abstract: 淀积系统，包括反应室(102)、用于加热反应室中的物质的至少一个热辐射发射器(104)以及用于在反应室(102)内原位探测和/或测量工件衬底的特性的至少一个测量装置(106)。一个或多个室壁对于热辐射以及测量装置所接收的辐射信号可以是透明的，以允许辐射分别传入并传出反应室。至少一定体积的不透明材料这样放置，使其遮蔽测量装置(106)的传感器(108)免于热辐射中的至少一部分。形成淀积系统的方法包括提供一定体积的不透明材料，其位置使其遮蔽传感器免于热辐射。使用淀积系统的方法包括遮蔽传感器免于热辐射中的至少一部分。
-
公开(公告)号：CN103238203A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201180056302.5
申请日：2011-11-23
Applicant: SOITEC公司 , 代理并代表亚利桑那州立大学的亚利桑那董事会
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L29/0665 , C30B25/183 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02667
Abstract: 在基材上沉积III族氮化物半导体材料的方法包括在成核HVPE工艺阶段中在基材表面上沉积III族氮化物半导体材料的层，以形成具有包括至少一些非晶III族氮化物半导体材料的微结构的成核层。所述成核层可进行退火以在基材表面上形成外延成核材料的晶岛。所述外延成核材料的岛可在聚结HVPE工艺阶段中生长和聚结以形成外延成核材料的成核模板层。所述成核模板层可至少基本上覆盖基材的表面。可在另外的HVPE工艺阶段中在所述外延成核材料的成核模板层上沉积另外的III族氮化物半导体材料。通过这种方法形成包括III族氮化物半导体材料的最终结构和中间结构。
-
公开(公告)号：CN103237929A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201180056001.2
申请日：2011-11-23
Applicant: SOITEC公司 , 代理并代表亚利桑那州立大学的亚利桑那董事会
CPC classification number: H01L21/02104 , C30B25/02 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L29/2003
Abstract: 本发明的实施方案包括使用卤化物气相外延（HVPE）过程形成III族氮化物半导体结构的方法。所述方法包括在非同质生长基材的表面上形成连续的III族氮化物成核层，所述连续的III族氮化物成核层遮盖所述非同质生长基材的上表面。形成连续的III族氮化物成核层可包括形成III族氮化物层以及热处理所述III族氮化物层。该方法还可包括在所述连续的III族氮化物成核层上形成另外的III族氮化物层。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.028 seconds)
