公开(公告)号：CN113228248B

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN201980085606.0

申请日：2019-12-23

Applicant: SOITEC公司

Inventor： W·施瓦岑巴赫 ,  L·埃卡尔诺 ,  D·马西 ,  N·本穆罕默德 ,  N·达瓦尔 ,  C·吉拉尔 ,  C·马勒维尔

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/322 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明涉及一种制造用于正面图像传感器的衬底的方法，所述方法包括：‑提供包括待转移的半导体层(3a)的供体衬底(30)，‑提供半导体载体衬底(1)，‑使供体衬底(30)与载体衬底(1)结合，电绝缘层(2)位于结合界面处，‑将半导体层(3a)转移至载体衬底(1)，‑将气体离子(40)经由经转移的半导体层(3a)和电绝缘层(2)注入到载体衬底(1)中，‑在注入之后，在经转移的半导体层(3a)上外延生长附加半导体层(3b)。

公开(公告)号：CN102709251B

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201210058033.2

申请日：2012-03-07

Applicant: SOITEC公司

Inventor： N·达瓦尔 ,  C·奥尔奈特 ,  B-Y·阮

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10894 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/84 ,  H01L27/10861 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1207 ,  H01L29/66181

Abstract: 本发明涉及一种具有本征半导体层的晶片，本发明还涉及一种用于制造晶片的方法，该方法包括以下步骤：在半导体衬底上提供掺杂层；在所述掺杂层上提供第一半导体层；在所述第一半导体层上提供掩埋氧化物层；以及在所述掩埋氧化物层上提供第二半导体层。

公开(公告)号：CN113228248A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN201980085606.0

申请日：2019-12-23

Applicant: SOITEC公司

Inventor： W·施瓦岑巴赫 ,  L·埃卡尔诺 ,  D·马西 ,  N·本穆罕默德 ,  N·达瓦尔 ,  C·吉拉尔 ,  C·马勒维尔

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/322 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明涉及一种制造用于正面图像传感器的衬底的方法，所述方法包括：‑提供包括待转移的半导体层(3a)的供体衬底(30)，‑提供半导体载体衬底(1)，‑使供体衬底(30)与载体衬底(1)结合，电绝缘层(2)位于结合界面处，‑将半导体层(3a)转移至载体衬底(1)，‑将气体离子(40)经由经转移的半导体层(3a)和电绝缘层(2)注入到载体衬底(1)中，‑在注入之后，在经转移的半导体层(3a)上外延生长附加半导体层(3b)。

公开(公告)号：CN102709251A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210058033.2

申请日：2012-03-07

Applicant: SOITEC公司

Inventor： N·达瓦尔 ,  C·奥尔奈特 ,  B-Y·阮

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10894 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/84 ,  H01L27/10861 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1207 ,  H01L29/66181

Abstract: 本发明涉及一种具有本征半导体层的晶片，本发明还涉及一种用于制造晶片的方法，该方法包括以下步骤：在半导体衬底上提供掺杂层；在所述掺杂层上提供第一半导体层；在所述第一半导体层上提供掩埋氧化物层；以及在所述掩埋氧化物层上提供第二半导体层。