公开(公告)号：FR3091410A1

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：FR1874151

申请日：2018-12-26

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： RISTOIU DELIA ,  BAR PIERRE ,  LEVERD FRANÇOIS

IPC: H01L21/311 ,  G02B6/43

Abstract: Procédé de gravure La présente description concerne un procédé de formation d'une cavité (30) traversant un empilement (10) de couches (6, 8) incluant une couche inférieure (61) dont une première portion (24) présente localement une surépaisseur, le procédé comprenant une première étape de gravure non sélective et une deuxième étape de gravure sélective à l'aplomb de la première portion (24). Figure pour l'abrégé : Fig. 6

公开(公告)号：FR3126170A1

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：FR2108614

申请日：2021-08-10

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： BAR PIERRE ,  HUGUENIN JEAN LUC

IPC: H01L27/146

Abstract: Procédé de fabrication d'un capteur d'images La présente description concerne un procédé de fabrication d'un capteur d'images comportant :a) la formation d'une pluralité de microlentilles (23) dans une couche (15) en une première résine ;b) après l'étape a), la formation d'un masque (25) en une deuxième résine, sur et en contact avec ladite couche (15) ; etc) après l'étape b), la gravure chimique par plasma de ladite couche (15), à travers le masque (25). Figure pour l'abrégé : Fig. 11

公开(公告)号：FR3076658B1

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：FR1850068

申请日：2018-01-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： BAR PIERRE ,  LEVERD FRANCOIS ,  RISTOIU DELIA

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308

Abstract: L'invention concerne un procédé de gravure d'une cavité dans un empilement de couches, l'empilement comprenant une première couche (61) en un premier matériau et une seconde couche en un second matériau, le procédé comprenant les étapes suivantes : a) former un premier masque de gravure ayant une première ouverture ; b) graver l'empilement et interrompre la gravure dans la seconde couche ; c) former un second masque (22) ayant une seconde ouverture, les dimensions de la seconde ouverture étant, en vue de dessus, inférieures à celles de la première ouverture, la seconde ouverture étant située, en vue de dessus, en regard de la zone gravée à l'étape b) ; et d) graver la seconde couche en regard de la seconde ouverture par un procédé de gravure apte à graver le second matériau de façon sélective par rapport au premier matériau, jusqu'à atteindre la première couche.

公开(公告)号：FR3091410B1

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：FR1874151

申请日：2018-12-26

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： RISTOIU DELIA ,  BAR PIERRE ,  LEVERD FRANÇOIS

IPC: H01L21/311 ,  G02B6/43

Abstract: Procédé de gravure La présente description concerne un procédé de formation d'une cavité (30) traversant un empilement (10) de couches (6, 8) incluant une couche inférieure (61) dont une première portion (24) présente localement une surépaisseur, le procédé comprenant une première étape de gravure non sélective et une deuxième étape de gravure sélective à l'aplomb de la première portion (24). Figure pour l'abrégé : Fig. 6

公开(公告)号：FR3076658A1

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：FR1850068

申请日：2018-01-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： BAR PIERRE ,  LEVERD FRANCOIS ,  RISTOIU DELIA

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308

Abstract: L'invention concerne un procédé de gravure d'une cavité dans un empilement de couches, l'empilement comprenant une première couche (61) en un premier matériau et une seconde couche en un second matériau, le procédé comprenant les étapes suivantes : a) former un premier masque de gravure ayant une première ouverture ; b) graver l'empilement et interrompre la gravure dans la seconde couche ; c) former un second masque (22) ayant une seconde ouverture, les dimensions de la seconde ouverture étant, en vue de dessus, inférieures à celles de la première ouverture, la seconde ouverture étant située, en vue de dessus, en regard de la zone gravée à l'étape b) ; et d) graver la seconde couche en regard de la seconde ouverture par un procédé de gravure apte à graver le second matériau de façon sélective par rapport au premier matériau, jusqu'à atteindre la première couche.