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公开(公告)号：FR3112242A1
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：FR2007058
申请日：2020-07-03
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor： INARD ALAIN , BARLAS MARIOS
IPC: H01L25/075
Abstract: Isolation de photodiodes La présente description concerne un dispositif optoélectronique comprenant au moins une photodiode, au moins une partie d'une zone active (14) de chaque photodiode étant séparée d'une photodiode voisine par un premier mur (18) comprenant un cœur conducteur et une gaine isolante et par un deuxième mur d'isolement optique (36). Figure pour l'abrégé : Fig. 1A
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公开(公告)号：FR3114190A1
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：FR2010469
申请日：2020-10-13
Inventor： BIANCHI RAUL ANDRES , BARLAS MARIOS , LOPEZ ALEXANDRE , MAMDY BASTIEN , RAE BRUCE , NICHOLSON ISOBEL
IPC: H01L31/107 , H01L27/146
Abstract: Pixel à efficacité quantique améliorée La présente description concerne un pixel (1) comprenant : une photodiode (PD) comprenant une partie (100) d’un substrat (102) en un matériau semi-conducteur, s’étendant verticalement à partir d’une première face (104) du substrat (102) jusqu’à une deuxième face (106) du substrat (102) configurée pour recevoir de la lumière ; une couche (108) en un premier matériau recouvrant chacune des surfaces latérales de ladite partie (100) ; une couche (110) en un deuxième matériau recouvrant ladite partie (100) du côté de la première face (104), les premier et deuxième matériaux ayant des indices de réfraction inférieurs à celui du matériau semiconducteur ; et une structure de diffraction (125) disposée sur une face de la photodiode (PD) du côté de la deuxième face (106). Figure pour l'abrégé : Fig. 1
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公开(公告)号：FR3114190B1
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：FR2010469
申请日：2020-10-13
Inventor： BIANCHI RAUL ANDRES , BARLAS MARIOS , LOPEZ ALEXANDRE , MAMDY BASTIEN , RAE BRUCE , NICHOLSON ISOBEL
IPC: H01L31/107 , H01L27/146
Abstract: Pixel à efficacité quantique améliorée La présente description concerne un pixel (1) comprenant : une photodiode (PD) comprenant une partie (100) d’un substrat (102) en un matériau semi-conducteur, s’étendant verticalement à partir d’une première face (104) du substrat (102) jusqu’à une deuxième face (106) du substrat (102) configurée pour recevoir de la lumière ; une couche (108) en un premier matériau recouvrant chacune des surfaces latérales de ladite partie (100) ; une couche (110) en un deuxième matériau recouvrant ladite partie (100) du côté de la première face (104), les premier et deuxième matériaux ayant des indices de réfraction inférieurs à celui du matériau semiconducteur ; et une structure de diffraction (125) disposée sur une face de la photodiode (PD) du côté de la deuxième face (106). Figure pour l'abrégé : Fig. 1
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