公开(公告)号：FR3112242A1

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：FR2007058

申请日：2020-07-03

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： INARD ALAIN ,  BARLAS MARIOS

IPC: H01L25/075

Abstract: Isolation de photodiodes La présente description concerne un dispositif optoélectronique comprenant au moins une photodiode, au moins une partie d'une zone active (14) de chaque photodiode étant séparée d'une photodiode voisine par un premier mur (18) comprenant un cœur conducteur et une gaine isolante et par un deuxième mur d'isolement optique (36). Figure pour l'abrégé : Fig. 1A

公开(公告)号：FR3135162B1

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：FR2204130

申请日：2022-05-02

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： INARD ALAIN ,  JOSSE EMMANUEL

IPC: H01L23/535

Abstract: Connexion électrique et son procédé de fabrication La présente description concerne un procédé de fabrication comprenant les étapes suivantes : prévoir un substrat de silicium (SUB2) ayant un via (200) pénétrant dans le substrat (SUB2) à partir de sa face avant (100) et comprenant un cœur conducteur (201) en silicium et une gaine isolante (202) en oxyde de silicium ; graver le substrat (SUB2) à partir de sa face arrière (102), sélectivement par rapport à la gaine (202) pour qu'une partie du via (200) fasse saillie de la face arrière (102) ; déposer une couche isolante (300) d'oxyde de silicium du côté de la face arrière (102) ; polir la couche isolante (300) jusqu'à exposer le cœur (201) en laissant en place une partie de l'épaisseur de la couche isolante (300) ; et former une électrode conductrice (104) en contact avec le cœur (201). Figure pour l'abrégé : Fig. 3

公开(公告)号：FR3059110A1

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：FR1661301

申请日：2016-11-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： FARYS VINCENT ,  INARD ALAIN ,  NOBLANC OLIVIER

IPC: G02B5/02

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un diffuseur optique comprenant les étapes successives suivantes : a) prévoir une plaquette (13) comprenant une tranche de silicium (15) dont une face supérieure est revêtue d'une première couche (9) en un premier matériau elle-même revêtue d'une deuxième couche en un deuxième matériau gravable sélectivement par rapport au premier matériau ; b) former dans la deuxième couche des ouvertures s'étendant jusqu'à la première couche (9) ; c) remplir les ouvertures dans la deuxième couche (17) d'un troisième matériau. d) coller un support en verre (11) à la plaquette (13) du côté de sa face supérieure ; et e) retirer la tranche de silicium (15).