公开(公告)号：FR3107783A1

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：FR2001986

申请日：2020-02-28

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： BREZZA EDOARDO ,  GAUTHIER ALEXIS ,  DEPRAT FABIEN ,  CHEVALIER PASCAL

IPC: H01L21/331

Abstract: Le présent texte concerne un procédé de fabrication d’un transistor bipolaire, comprenant :- formation d’un empilement (2) comprenant successivement quatre couches (21, 22, ,23, 24), dans lequel chacune des première à quatrième couches est apte à être gravée sélectivement par rapport à chaque couche adjacente, les première, deuxième et quatrième couche étant électriquement isolantes,- formation d’une ouverture (20),- formation par épitaxie du collecteur (C) et formation par gravure sélective d’une ouverture annulaire (230) dans la troisième couche (23),- formation par épitaxie d’une base intrinsèque (B1), séparée de la troisième couche (23) par une lame d’air (3) formée dans l’ouverture annulaire (230), - formation de l’émetteur (E) sur la base intrinsèque,- gravure sélective de la troisième couche (23),- dépôt sélectif d’une couche semi-conductrice (30) sur la deuxième couche (22), en contact direct avec la partie intrinsèque, de sorte à former une base extrinsèque (B2). Figure pour l’abrégé : Fig 13