公开(公告)号：FR3152913A1

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：FR2309552

申请日：2023-09-11

Applicant: CENTRE NAT RECH SCIENT ,  UNIV LILLE ,  UNIV POLYTECHNIQUE HAUTS DE FRANCE ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： DUBOIS EMMANUEL ,  FLEURY ALAIN ,  GHEYSENS DANIEL ,  MONFRAY STÉPHANE

IPC: H01L21/4763 ,  H01L21/762 ,  H01L21/768

Abstract: Titre : Procédé de réalisation de transistors MOSFET intégrant des cavités d’air pour la réduction du couplage capacitif en régime radiofréquence L’invention concerne un procédé de fabrication d’un dispositif microélectronique (100) à cavité (20) comprenant au moins transistor (11a), ledit procédé comprenant au moins l’étape suivante : Retirer les matériaux d’un empilement de couches diélectriques (1) du dispositif microélectronique (100), sélectivement par rapport aux matériaux d’un ensemble de lignes d’interconnexion (2) et d’une couverture (3) d’une zone active par une gravure par HF en phase vapeur, formant ainsi la cavité (20) s’étendant latéralement suivant une direction x au moins jusqu’à l’exposition des parois de l’ensemble des lignes d’interconnexion (2) en regard du premier transistor (11a), et suivant une direction z perpendiculaire à la direction x jusqu’à l’exposition d’une face supérieure de la couverture (3) de la zone active. Figure pour l’abrégé : Fig. 4

公开(公告)号：FR3029355B1

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：FR1461760

申请日：2014-12-02

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： DUBOIS EMMANUEL ,  ROBILLARD JEAN-FRANCOIS ,  MONFRAY STEPHANE ,  SKOTNICKI THOMAS

IPC: H01L37/00

Abstract: Générateur thermoélectrique, comprenant une membrane semiconductrice (2) à structure phononique contenant au moins une jonction P-N (3, 4) suspendue entre un premier support (5) destiné à être couplé à une source thermique froide et un deuxième support (6) destiné à être couplé à une source thermique chaude et une architecture permettant de redistribuer le flux thermique dans le plan de ladite membrane.