MODULATEUR DE PHASE ELECTRO-OPTIQUE

    公开(公告)号:FR3076916B1

    公开(公告)日:2020-09-04

    申请号:FR1850290

    申请日:2018-01-15

    Inventor: MONFRAY STEPHANE

    Abstract: L'invention concerne un modulateur de phase électro-optique comprenant un guide d'onde (100) comportant un empilement d'une première bande (101) en un matériau semiconducteur dopé d'un premier type de conductivité, d'une deuxième bande (103) en matériau conducteur ou en un matériau semiconducteur dopé du deuxième type de conductivité, et d'une troisième bande (105) en un matériau semiconducteur dopé du premier type de conductivité, la deuxième bande étant séparée de la première bande par une première couche d'interface (107) en un matériau diélectrique et de la troisième bande par une deuxième couche d'interface (109) en un matériau diélectrique.

    SYSTEME DE MESURE DU NIVEAU DE PUISSANCE D'UNE SOURCE D'ENERGIE AMBIANTE

    公开(公告)号:FR3066269A1

    公开(公告)日:2018-11-16

    申请号:FR1754047

    申请日:2017-05-09

    Abstract: L'invention concerne un module de mesure (100) comprenant : un générateur électrique à récupération d'énergie ambiante (103) ; un élément capacitif de stockage (105) de l'énergie électrique produite par le générateur ; une batterie électrique (107) ; une première branche (B1) reliant un noeud de sortie (A) du générateur (103) à une première électrode (B) de l'élément capacitif de stockage ; une deuxième branche (B2) reliant une première borne (C) de la batterie à la première électrode de l'élément capacitif de stockage ; et un circuit actif (115) adapté à émettre un signal radio d'indication d'évènement à chaque fois que la tension aux bornes de l'élément capacitif de stockage dépasse un premier seuil, dans lequel, en fonctionnement, l'élément capacitif de stockage reçoit simultanément, un premier courant de charge provenant du générateur via la première branche, et un deuxième courant de charge provenant de la batterie via la deuxième branche.

    DETECTEUR ELECTRONIQUE INTEGRE DE VARIATIONS DE POTENTIEL A HAUTE SENSIBILITE

    公开(公告)号:FR3048288B1

    公开(公告)日:2018-03-23

    申请号:FR1651570

    申请日:2016-02-25

    Abstract: Le détecteur électronique intégré est configuré pour détecter l'apparition d'une variation de potentiel sur sa borne d'entrée et comporte un transistor MOS (11) dont le drain (D) forme une borne de sortie, et dans lequel la variation du courant de drain (Id) est représentative de ladite variation de potentiel sur la borne d'entrée. Le détecteur comprend en outre un transistor bipolaire (12) dont la base forme la borne d'entrée et dont le collecteur (C) est électriquement connecté à la grille (G) du transistor MOS, et possède une première configuration dans laquelle le transistor bipolaire (12) est passant et le transistor MOS est bloqué, et une deuxième configuration dans laquelle le transistor bipolaire (12) est bloqué et le transistor MOS (11) est dans un fonctionnement sous-seuil, le détecteur étant configuré pour passer de sa première configuration à sa deuxième configuration lors de l'apparition de ladite variation de potentiel.

    Circuit électronique comprenant des interrupteurs RF à capacités parasites réduites

    公开(公告)号:FR3122770A1

    公开(公告)日:2022-11-11

    申请号:FR2104781

    申请日:2021-05-06

    Abstract: Circuit électronique comprenant des interrupteurs RF à capacités parasites réduites La présente description concerne un circuit électronique (40) comprenant un substrat semiconducteur (46), des interrupteurs radiofréquence correspondant à des transistors MOS (50) comprenant des régions semiconductrices dopées (52, 54) dans le substrat, au moins deux niveaux de métallisation (M1, M2, M3) recouvrant le substrat, chaque niveau de métallisation comprenant un empilement de couches isolantes (60_1, 60_2, 60_3), des piliers conducteurs (64_1, 64_2, 64_3) surmontés de pistes métalliques (62_1, 62_2, 62_3), au moins deux éléments de connexion (66, 68) connectant chacun l’une des régions semiconductrices dopées et formés par des piliers conducteurs et des pistes conductrices de chaque niveau de métallisation. Le circuit électronique comprend en outre, entre les deux éléments de connexion, une tranchée (70) traversant entièrement l’empilement de couches isolantes d’un niveau de métallisation et traversant en outre partiellement l’empilement de couches isolantes du niveau de métallisation le plus proche du substrat, et un dispositif dissipateur de chaleur (80) adapté à dissiper la chaleur hors de la tranchée. Figure pour l’abrégé : Fig. 2

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