公开(公告)号：FR3096830B1

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：FR1905576

申请日：2019-05-27

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： GREGOIRE MAGALI

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/532

Abstract: Elément d'interconnexion et son procédé de fabrication La présente description concerne un procédé de fabrication d'un élément d'interconnexion d'une structure d'interconnexion d'un circuit intégré, le procédé comprenant les étapes suivantes : a) graver une cavité (200) dans une première couche (202) isolante ; b) déposer une deuxième couche (204) en nitrure de silicium sur les parois et le fond de la cavité (200), la concentration en atomes d'azote dans la deuxième couche augmentant en s'éloignant d'une surface exposée (2041) de la deuxième couche (204) ; c) déposer une troisième couche (206) en cuivre sur la deuxième couche (204) ; d) chauffer pour former une quatrième couche (208) de siliciure de cuivre à partir des deuxième et troisième couches (204, 206) ; et e) remplir la cavité de cuivre (210). Figure pour l'abrégé : Fig. 2

公开(公告)号：FR3098014A1

公开(公告)日：2021-01-01

申请号：FR1907194

申请日：2019-06-28

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： GREGOIRE MAGALI

IPC: H01L21/24 ,  H01L21/324

Abstract: Composé intermétallique La présente description concerne un procédé comprenant : a) déposer, sur une région semiconductrice (14B), une couche (20) de NiPt avec une concentration en atomes de Pt égale à 15% à plus ou moins 1% ; b) effectuer un recuit à une température de 260°C à plus ou moins 20°C, pendant une durée comprise entre 20 et 60 secondes. Figure pour l'abrégé : Fig. 2

公开(公告)号：FR3081611A1

公开(公告)日：2019-11-29

申请号：FR1870591

申请日：2018-05-23

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： GREGOIRE MAGALI

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/22 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/70 ,  H01L27/04

公开(公告)号：FR3081611B1

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：FR1870591

申请日：2018-05-23

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： GREGOIRE MAGALI

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/22 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/70 ,  H01L27/04

Abstract: Procédé de siliciuration. L’invention concerne un circuit intégré dans lequel des premières régions semiconductrices (23, 27) comprennent chacune une partie siliciurée (23a, 27a) comportant des atomes du groupe III, IV et/ou V. Figure pour l’abrégé : Fig. 5

公开(公告)号：FR3097076A1

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：FR1905958

申请日：2019-06-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： BORREL JULIEN ,  GREGOIRE MAGALI

IPC: H01L21/265

Abstract: Prises de contact pour composant électronique La présente description concerne un procédé comprenant : a) l'implantation (300), dans une région semiconductrice (140), d'atomes à une concentration plus élevée dans une partie périphérique (310) que dans une partie centrale (320) ; b) la formation d'une région métallique recouvrant la région semiconductrice ; et c) la formation d'une région intermétallique à partir de la région métallique et de la région semiconductrice (140). Figure pour l'abrégé : Fig. 3

公开(公告)号：FR3096830A1

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：FR1905576

申请日：2019-05-27

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： GREGOIRE MAGALI

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/532

Abstract: Elément d'interconnexion et son procédé de fabrication La présente description concerne un procédé de fabrication d'un élément d'interconnexion d'une structure d'interconnexion d'un circuit intégré, le procédé comprenant les étapes suivantes : a) graver une cavité (200) dans une première couche (202) isolante ; b) déposer une deuxième couche (204) en nitrure de silicium sur les parois et le fond de la cavité (200), la concentration en atomes d'azote dans la deuxième couche augmentant en s'éloignant d'une surface exposée (2041) de la deuxième couche (204) ; c) déposer une troisième couche (206) en cuivre sur la deuxième couche (204) ; d) chauffer pour former une quatrième couche (208) de siliciure de cuivre à partir des deuxième et troisième couches (204, 206) ; et e) remplir la cavité de cuivre (210). Figure pour l'abrégé : Fig. 2

公开(公告)号：FR3086796A1

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：FR1858935

申请日：2018-09-28

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： LEMANG MATHILDE ,  GREGOIRE MAGALI ,  RODRIGUEZ PHILIPPE ,  LACHAL LAURENT

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/225 ,  H01L21/285 ,  H01L21/324

Abstract: La présente description concerne un procédé de siliciuration comprenant une étape d'implantation d'atomes de Xénon dans une région semiconductrice (17, 19, 21).