公开(公告)号：FR3044824B1

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：FR1561963

申请日：2015-12-08

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： HUTIN LOUIS ,  BORREL JULIEN ,  MORAND YVES ,  NEMOUCHI FABRICE

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/8234

公开(公告)号：FR3128574B1

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：FR2111357

申请日：2021-10-26

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： BORREL JULIEN ,  GAUTHIER ALEXIS ,  HILARIO FANNY ,  BERTHIER LUDOVIC ,  DUMAS PAUL ,  BREZZA EDOARDO

IPC: H01L21/266

Abstract: Selon un aspect il est proposé un procédé d’implantation ionique dans une plaquette semiconductrice (PS) placée dans une chambre d’implantation (CHI) sous vide, la plaquette semiconductrice (PS) présentant une zone de circuit intégré (ZCI) et une zone périphérique (ZPR) autour de cette zone de circuit intégré (ZCI), l’implantation ionique permettant d’appliquer un dopage dans des régions, dites régions d’implantation (RGI), de la zone de circuit intégré, le procédé comprenant : - une formation d’un revêtement en résine photosensible (RES) servant de masque sur la plaquette semiconductrice (PS), puis - une formation d’ouvertures dans le revêtement en résine photosensible (RES) au niveau desdites régions d’implantation (RGI) de la zone de circuit intégré et au niveau d’au moins une région (RDM) de la zone périphérique, puis - une implantation des ions (12) dans la plaquette semiconductrice (PS). Figure pour l’abrégé : Figure 5

公开(公告)号：FR3097076A1

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：FR1905958

申请日：2019-06-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： BORREL JULIEN ,  GREGOIRE MAGALI

IPC: H01L21/265

Abstract: Prises de contact pour composant électronique La présente description concerne un procédé comprenant : a) l'implantation (300), dans une région semiconductrice (140), d'atomes à une concentration plus élevée dans une partie périphérique (310) que dans une partie centrale (320) ; b) la formation d'une région métallique recouvrant la région semiconductrice ; et c) la formation d'une région intermétallique à partir de la région métallique et de la région semiconductrice (140). Figure pour l'abrégé : Fig. 3

公开(公告)号：FR3078197B1

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：FR1851485

申请日：2018-02-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： GAUTHIER ALEXIS ,  BORREL JULIEN

IPC: H01L29/737 ,  H01L21/70

Abstract: Le transistor à jonction bipolaire (700) comporte une région de collecteur extrinsèque (20) enterrée dans un substrat semiconducteur (10), sous une région de collecteur intrinsèque (22), une région isolante (61) sur la région de collecteur intrinsèque (22) et une région de base extrinsèque (70) sur la région isolante (61). Le transistor à jonction bipolaire (700) comprend des régions de passivation comportant du carbone (40, 42) dans la région de collecteur intrinsèque (22) et s'étendant en regard de la région de base extrinsèque (70).

公开(公告)号：FR3078197A1

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：FR1851485

申请日：2018-02-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： GAUTHIER ALEXIS ,  BORREL JULIEN

IPC: H01L29/737 ,  H01L21/70

Abstract: Le transistor à jonction bipolaire (700) comporte une région de collecteur extrinsèque (20) enterrée dans un substrat semiconducteur (10), sous une région de collecteur intrinsèque (22), une région isolante (61) sur la région de collecteur intrinsèque (22) et une région de base extrinsèque (70) sur la région isolante (61). Le transistor à jonction bipolaire (700) comprend des régions de passivation comportant du carbone (40, 42) dans la région de collecteur intrinsèque (22) et s'étendant en regard de la région de base extrinsèque (70).