公开(公告)号：FR3142601B1

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：FR2212257

申请日：2022-11-24

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： BAH THIERNO MOUSSA ,  GOURAUD PASCAL ,  GROS D'AILLON PATRICK ,  PREVOST EMILIE

IPC: H01L21/76 ,  H01G2/00

Abstract: Fabrication d'une tranchée isolante La présente description concerne un procédé de fabrication d'une tranchée isolante dans un substrat (301), pour un dispositif électronique, comprenant les étapes successives suivantes : (a) remplir une tranchée (302) formée dans ledit substrat (301) avec un premier matériau isolant (303) ; (b) déposer une première couche d'arrêt de gravure (305) sur ledit premier matériau (303) ; (c) déposer une deuxième couche (306) d'un deuxième matériau isolant sur ladite première couche d'arrêt de gravure (305) ; (d) graver jusqu'à la couche d'arrêt de gravure (305) ; et (e) déposer une troisième couche en un troisième matériau étanche (308). Figure pour l'abrégé : Fig. 3