公开(公告)号：FR3048288B1

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：FR1651570

申请日：2016-02-25

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： MONFRAY STEPHANE ,  HIBLOT GASPARD

IPC: G01R19/165

Abstract: Le détecteur électronique intégré est configuré pour détecter l'apparition d'une variation de potentiel sur sa borne d'entrée et comporte un transistor MOS (11) dont le drain (D) forme une borne de sortie, et dans lequel la variation du courant de drain (Id) est représentative de ladite variation de potentiel sur la borne d'entrée. Le détecteur comprend en outre un transistor bipolaire (12) dont la base forme la borne d'entrée et dont le collecteur (C) est électriquement connecté à la grille (G) du transistor MOS, et possède une première configuration dans laquelle le transistor bipolaire (12) est passant et le transistor MOS est bloqué, et une deuxième configuration dans laquelle le transistor bipolaire (12) est bloqué et le transistor MOS (11) est dans un fonctionnement sous-seuil, le détecteur étant configuré pour passer de sa première configuration à sa deuxième configuration lors de l'apparition de ladite variation de potentiel.