公开(公告)号：FR3135162B1

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：FR2204130

申请日：2022-05-02

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： INARD ALAIN ,  JOSSE EMMANUEL

IPC: H01L23/535

Abstract: Connexion électrique et son procédé de fabrication La présente description concerne un procédé de fabrication comprenant les étapes suivantes : prévoir un substrat de silicium (SUB2) ayant un via (200) pénétrant dans le substrat (SUB2) à partir de sa face avant (100) et comprenant un cœur conducteur (201) en silicium et une gaine isolante (202) en oxyde de silicium ; graver le substrat (SUB2) à partir de sa face arrière (102), sélectivement par rapport à la gaine (202) pour qu'une partie du via (200) fasse saillie de la face arrière (102) ; déposer une couche isolante (300) d'oxyde de silicium du côté de la face arrière (102) ; polir la couche isolante (300) jusqu'à exposer le cœur (201) en laissant en place une partie de l'épaisseur de la couche isolante (300) ; et former une électrode conductrice (104) en contact avec le cœur (201). Figure pour l'abrégé : Fig. 3