公开(公告)号：FR3126258A1

公开(公告)日：2023-02-24

申请号：FR2108802

申请日：2021-08-20

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： DEL MEDICO SYLVIE ,  GRENIER JEAN-CHRISTOPHE ,  GIRAUDIN JEAN-CHRISTOPHE ,  KOWALCZYK PHILIPPE ,  PIAZZA FAUSTO

IPC: H01L21/82 ,  H01L23/528 ,  H01L33/52

Abstract: Structure d'interconnexion d’un circuit intégré La présente description concerne un procédé de fabrication d’une structure d’interconnexion (210) d’un circuit intégré (200) destiné à être encapsulé dans une résine d’encapsulation en contact avec une première face (220A) d’une couche de protection (220), ladite couche de protection reposant sur une première face (210A) de la structure d’interconnexion, la structure d’interconnexion comprenant des éléments d’interconnexion en cuivre (212, 214) s’étendant au moins en partie à travers une couche isolante (216) et affleurant à la première face de ladite structure d’interconnexion ;le procédé de fabrication comprenant une étape de structuration de la couche de protection ou une étape de formation de la couche de protection avec structuration, ladite étape de structuration ou ladite étape de formation étant adaptée à structurer la première face de la couche de protection sous la forme d’une alternance de crêtes et de dépressions. Figure pour l'abrégé : Fig. 3D