公开(公告)号：FR3126258A1

公开(公告)日：2023-02-24

申请号：FR2108802

申请日：2021-08-20

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： DEL MEDICO SYLVIE ,  GRENIER JEAN-CHRISTOPHE ,  GIRAUDIN JEAN-CHRISTOPHE ,  KOWALCZYK PHILIPPE ,  PIAZZA FAUSTO

IPC: H01L21/82 ,  H01L23/528 ,  H01L33/52

Abstract: Structure d'interconnexion d’un circuit intégré La présente description concerne un procédé de fabrication d’une structure d’interconnexion (210) d’un circuit intégré (200) destiné à être encapsulé dans une résine d’encapsulation en contact avec une première face (220A) d’une couche de protection (220), ladite couche de protection reposant sur une première face (210A) de la structure d’interconnexion, la structure d’interconnexion comprenant des éléments d’interconnexion en cuivre (212, 214) s’étendant au moins en partie à travers une couche isolante (216) et affleurant à la première face de ladite structure d’interconnexion ;le procédé de fabrication comprenant une étape de structuration de la couche de protection ou une étape de formation de la couche de protection avec structuration, ladite étape de structuration ou ladite étape de formation étant adaptée à structurer la première face de la couche de protection sous la forme d’une alternance de crêtes et de dépressions. Figure pour l'abrégé : Fig. 3D

公开(公告)号：FR3124891B1

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：FR2107027

申请日：2021-06-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： FAVENNEC LAURENT ,  PIAZZA FAUSTO

IPC: G11C11/56

Abstract: Mémoire à changement de phase La présente description concerne un procédé de fabrication d'une mémoire à changement de phase comprenant : a) une étape de formation d'une matrice de cellules mémoire à changement de phase, chaque cellule étant séparée des cellules voisines d'une même ligne de la matrice et des cellules voisines d'une même colonne de la matrice par une même première distance (L1), et b) une étape de gravure, dans chaque ligne ou chaque colonne, d'une cellule mémoire sur N, N étant au moins égale à 2. Figure pour l'abrégé : Fig. 3

公开(公告)号：FR3124891A1

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：FR2107027

申请日：2021-06-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： FAVENNEC LAURENT ,  PIAZZA FAUSTO

IPC: G11C11/56

Abstract: Mémoire à changement de phase La présente description concerne un procédé de fabrication d'une mémoire à changement de phase comprenant : a) une étape de formation d'une matrice de cellules mémoire à changement de phase, chaque cellule étant séparée des cellules voisines d'une même ligne de la matrice et des cellules voisines d'une même colonne de la matrice par une même première distance (L1), et b) une étape de gravure, dans chaque ligne ou chaque colonne, d'une cellule mémoire sur N, N étant au moins égale à 2. Figure pour l'abrégé : Fig. 3