公开(公告)号：FR3084773A1

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：FR1857187

申请日：2018-08-01

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： MONNIER DENIS ,  GONNARD OLIVIER

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285

Abstract: Le procédé de siliciuration d'une partie à siliciurer (A) d'un dispositif semiconducteur (CI), comprend : une étape de formation d'une couche de protection (20), sur une partie à ne pas siliciurer (A) du dispositif semiconducteur (CI), comprenant une formation d'une couche d'oxyde de silicium (21) et d'une couche de nitrure de silicium (22) sur la couche d'oxyde de silicium (21) ; une étape de siliciuration de ladite partie à siliciurer (B) comprenant une pulvérisation d'ions sous environnement plasma (90) sur ladite partie à siliciurer (B) et sur ladite partie à ne pas siliciurer (A) ; le procédé comprenant une étape de retrait (80) d'au moins une portion de la couche de nitrure de silicium (21) de la couche de protection (20), préalablement à l'étape de siliciuration.

公开(公告)号：FR3112894A1

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：FR2007905

申请日：2020-07-27

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： MONNIER DENIS ,  LEVERD FRANCOIS

IPC: H01L21/70 ,  H01L21/302

Abstract: Le texte concerne un procédé de formation d’une tranchée d’isolation capacitive dans un substrat semi-conducteur, comprenant les étapes successives suivantes :- le creusement d’une tranchée (10) à partir d’une surface principale du substrat (1), ladite tranchée comprenant une portion supérieure (10a) s’élargissant progressivement à partir d’un col (102) en direction d’une portion inférieure (10b) de la tranchée ;- la formation d’un revêtement en un premier matériau électriquement isolant (14) sur les parois de la tranchée ;- le dépôt d’un premier matériau semi-conducteur (15) sur ledit revêtement, ledit dépôt étant interrompu de sorte à ménager un espace libre entre les parois (100, 101) de la tranchée, ledit espace libre présentant une ouverture (150) au niveau du col (102) ;- le dépôt d’un second matériau électriquement isolant (16) dans la tranchée, ledit dépôt résultant en la formation d’un bouchon (160) obturant ladite ouverture (150) pour former une cavité (17) fermée ;- la gravure du bouchon (16) de sorte à ouvrir la cavité (17) ;- le dépôt d’un second matériau semi-conducteur ou d’un métal de sorte à remplir la cavité (17). Figure pour l’abrégé : Fig 2I

公开(公告)号：FR3084773B1

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：FR1857187

申请日：2018-08-01

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： MONNIER DENIS ,  GONNARD OLIVIER

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285

Abstract: Le procédé de siliciuration d'une partie à siliciurer (A) d'un dispositif semiconducteur (CI), comprend : une étape de formation d'une couche de protection (20), sur une partie à ne pas siliciurer (A) du dispositif semiconducteur (CI), comprenant une formation d'une couche d'oxyde de silicium (21) et d'une couche de nitrure de silicium (22) sur la couche d'oxyde de silicium (21) ; une étape de siliciuration de ladite partie à siliciurer (B) comprenant une pulvérisation d'ions sous environnement plasma (90) sur ladite partie à siliciurer (B) et sur ladite partie à ne pas siliciurer (A) ; le procédé comprenant une étape de retrait (80) d'au moins une portion de la couche de nitrure de silicium (21) de la couche de protection (20), préalablement à l'étape de siliciuration.