公开(公告)号：FR3084773A1

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：FR1857187

申请日：2018-08-01

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： MONNIER DENIS ,  GONNARD OLIVIER

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285

Abstract: Le procédé de siliciuration d'une partie à siliciurer (A) d'un dispositif semiconducteur (CI), comprend : une étape de formation d'une couche de protection (20), sur une partie à ne pas siliciurer (A) du dispositif semiconducteur (CI), comprenant une formation d'une couche d'oxyde de silicium (21) et d'une couche de nitrure de silicium (22) sur la couche d'oxyde de silicium (21) ; une étape de siliciuration de ladite partie à siliciurer (B) comprenant une pulvérisation d'ions sous environnement plasma (90) sur ladite partie à siliciurer (B) et sur ladite partie à ne pas siliciurer (A) ; le procédé comprenant une étape de retrait (80) d'au moins une portion de la couche de nitrure de silicium (21) de la couche de protection (20), préalablement à l'étape de siliciuration.

公开(公告)号：FR3084773B1

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：FR1857187

申请日：2018-08-01

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： MONNIER DENIS ,  GONNARD OLIVIER

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285

Abstract: Le procédé de siliciuration d'une partie à siliciurer (A) d'un dispositif semiconducteur (CI), comprend : une étape de formation d'une couche de protection (20), sur une partie à ne pas siliciurer (A) du dispositif semiconducteur (CI), comprenant une formation d'une couche d'oxyde de silicium (21) et d'une couche de nitrure de silicium (22) sur la couche d'oxyde de silicium (21) ; une étape de siliciuration de ladite partie à siliciurer (B) comprenant une pulvérisation d'ions sous environnement plasma (90) sur ladite partie à siliciurer (B) et sur ladite partie à ne pas siliciurer (A) ; le procédé comprenant une étape de retrait (80) d'au moins une portion de la couche de nitrure de silicium (21) de la couche de protection (20), préalablement à l'étape de siliciuration.

公开(公告)号：FR3068174A1

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：FR1755669

申请日：2017-06-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： GOLANSKI DOMINIQUE ,  JIMENEZ JEAN ,  DUTARTRE DIDIER ,  GONNARD OLIVIER

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/18

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'une photodiode SPAD, compatible avec la fabrication de transistors MOS, comprenant : délimiter une zone de formation d'une photodiode SPAD dans une couche (6) de matériau semiconducteur d'un premier type de dopage ; implanter des dopants d'un second type avec une première énergie dans une première région enterrée (20) de ladite zone ; et faire croître une couche épitaxiale (22) sur l'ensemble de la structure.