-
公开(公告)号:FR3078826A1
公开(公告)日:2019-09-13
申请号:FR1851988
申请日:2018-03-07
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor: BAUDOT CHARLES , CREMER SEBASTIEN , VULLIET NATHALIE , PELLISSIER-TANON DENIS
IPC: H01L31/101 , H01L31/028
Abstract: L'invention concerne une photodiode verticale comprenant une zone active (30) dont toutes les prises de contact (44, 48 ; 46, 50) sont décalées de l'aplomb de la zone active.
-
公开(公告)号:FR3078827B1
公开(公告)日:2022-04-01
申请号:FR1851989
申请日:2018-03-07
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor: BAUDOT CHARLES , VULLIET NATHALIE , CREMER SEBASTIEN , PELLISSIER-TANON DENIS
IPC: H01L31/101 , H01L31/028
Abstract: L'invention concerne une photodiode comprenant une zone active, la zone active comprenant au moins une première région (82) en germanium dans une première couche (44) de silicium, la première région en germanium ayant, dans des coupes selon des plans orthogonaux au plan de la première couche, uniquement deux côtés en contact avec la première couche.
-
公开(公告)号:FR3078826B1
公开(公告)日:2022-01-14
申请号:FR1851988
申请日:2018-03-07
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor: BAUDOT CHARLES , CREMER SEBASTIEN , VULLIET NATHALIE , PELLISSIER-TANON DENIS
IPC: H01L31/101 , H01L31/028
Abstract: L'invention concerne une photodiode verticale comprenant une zone active (30) dont toutes les prises de contact (44, 48 ; 46, 50) sont décalées de l'aplomb de la zone active.
-
公开(公告)号:FR3078827A1
公开(公告)日:2019-09-13
申请号:FR1851989
申请日:2018-03-07
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor: BAUDOT CHARLES , VULLIET NATHALIE , CREMER SEBASTIEN , PELLISSIER-TANON DENIS
IPC: H01L31/101 , H01L31/028
Abstract: L'invention concerne une photodiode comprenant une zone active, la zone active comprenant au moins une première région (82) en germanium dans une première couche (44) de silicium, la première région en germanium ayant, dans des coupes selon des plans orthogonaux au plan de la première couche, uniquement deux côtés en contact avec la première couche.
-
-
-