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公开(公告)号:FR3078827B1
公开(公告)日:2022-04-01
申请号:FR1851989
申请日:2018-03-07
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor: BAUDOT CHARLES , VULLIET NATHALIE , CREMER SEBASTIEN , PELLISSIER-TANON DENIS
IPC: H01L31/101 , H01L31/028
Abstract: L'invention concerne une photodiode comprenant une zone active, la zone active comprenant au moins une première région (82) en germanium dans une première couche (44) de silicium, la première région en germanium ayant, dans des coupes selon des plans orthogonaux au plan de la première couche, uniquement deux côtés en contact avec la première couche.
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公开(公告)号:FR3098983A1
公开(公告)日:2021-01-22
申请号:FR1908193
申请日:2019-07-19
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor: CREMER SEBASTIEN
Abstract: Guide d'onde d'une structure SOI La présente description concerne un procédé comprenant les étapes successives suivantes : a) former une couche (10) en un premier matériau isolant sur une première couche en un deuxième matériau isolant ; b) définir au moins un guide d'onde (20) en le premier matériau dans la couche en le premier matériau ; c) recouvrir le guide d'onde (20) d'une deuxième couche en le deuxième matériau ; d) aplanir la surface supérieure ; et e) former une couche en silicium monocristallin (40) reposant sur la deuxième couche. La présente description concerne également un dispositif comprenant : une couche isolante (32) reposant sur un support (14) ; une couche (40) en silicium monocristallin reposant sur la couche isolante (32) ; et au moins un guide d'onde (20) en un premier matériau noyé dans la couche isolante (32), la couche isolante étant en un deuxième matériau. Figure pour l'abrégé : Fig. 5
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公开(公告)号:FR3121544A1
公开(公告)日:2022-10-07
申请号:FR2103351
申请日:2021-03-31
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor: CREMER SEBASTIEN
IPC: H01B17/36
Abstract: Structure d'isolation thermique et électrique La présente description concerne un procédé de réalisation d'un dispositif électronique (1) comprenant une première plaquette (13) comportant au moins une tranchée et une deuxième plaquette, la deuxième plaquette étant collée, par collage hybride, sur la première plaquette, de sorte à former, au niveau de la tranchée au moins un espace clos (11), vide ou rempli d'un gaz. Figure pour l'abrégé : Fig. 1
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公开(公告)号:FR3078826A1
公开(公告)日:2019-09-13
申请号:FR1851988
申请日:2018-03-07
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor: BAUDOT CHARLES , CREMER SEBASTIEN , VULLIET NATHALIE , PELLISSIER-TANON DENIS
IPC: H01L31/101 , H01L31/028
Abstract: L'invention concerne une photodiode verticale comprenant une zone active (30) dont toutes les prises de contact (44, 48 ; 46, 50) sont décalées de l'aplomb de la zone active.
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公开(公告)号:FR3078826B1
公开(公告)日:2022-01-14
申请号:FR1851988
申请日:2018-03-07
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor: BAUDOT CHARLES , CREMER SEBASTIEN , VULLIET NATHALIE , PELLISSIER-TANON DENIS
IPC: H01L31/101 , H01L31/028
Abstract: L'invention concerne une photodiode verticale comprenant une zone active (30) dont toutes les prises de contact (44, 48 ; 46, 50) sont décalées de l'aplomb de la zone active.
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公开(公告)号:FR3100082A1
公开(公告)日:2021-02-26
申请号:FR1909284
申请日:2019-08-19
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor: CREMER SEBASTIEN , BOEUF FREDERIC , MONFRAY STEPHANE
Abstract: Modulateur de phase La présente description concerne un procédé comprenant les étapes suivantes : a) former un guide d'onde (100) en un premier matériau, le guide d'onde étant configuré pour guider un signal optique ; b) former une couche (106) en un deuxième matériau conducteur électriquement et transparent à une longueur d'onde du signal optique, les étapes a) et b) étant mises en oeuvre de manière que la couche (106) en le deuxième matériau soit en contact d'au moins une des faces du guide d'onde (100), ou soit séparée de ladite au moins une des faces par une distance inférieure à la moitié, de préférence au quart, de la longueur d'onde du signal optique. La demande concerne en outre un modulateur de phase, notamment obtenu par un tel procédé. Figure pour l'abrégé : Fig. 1
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公开(公告)号:FR3078827A1
公开(公告)日:2019-09-13
申请号:FR1851989
申请日:2018-03-07
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor: BAUDOT CHARLES , VULLIET NATHALIE , CREMER SEBASTIEN , PELLISSIER-TANON DENIS
IPC: H01L31/101 , H01L31/028
Abstract: L'invention concerne une photodiode comprenant une zone active, la zone active comprenant au moins une première région (82) en germanium dans une première couche (44) de silicium, la première région en germanium ayant, dans des coupes selon des plans orthogonaux au plan de la première couche, uniquement deux côtés en contact avec la première couche.
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