公开(公告)号：FR3091024A1

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：FR1873335

申请日：2018-12-19

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： BENHAMMOU YOUNES ,  GOLANSKI DOMINIQUE ,  RIDEAU DENIS

IPC: H01L31/10 ,  H01L31/0256 ,  H01L31/0288

Abstract: Photodiode à avalanche à photon unique La présente description concerne une photodiode (1) comprenant une première partie en silicium (10) et une deuxième partie en germanium dopé (20) reposant sur et en contact avec la première partie, la première partie comportant un empilement d'une première région (101) et d'une deuxième région (102) formant une jonction PN (103) et le niveau de dopage du germanium augmentant en s'éloignant de la jonction PN. Figure pour l'abrégé : Fig. 1

公开(公告)号：FR3083646B1

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：FR1856285

申请日：2018-07-09

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： RIDEAU DENIS ,  CROCHERIE AXEL

IPC: H01L27/146

Abstract: La présente description concerne un capteur d'images multispectrales comportant une pluralité de pixels (P1, P2, P3, P4) formés dans et sur une couche semiconductrice (101), chaque pixel comportant une zone active photosensible formée dans une portion de la couche semiconductrice délimitée latéralement par des murs d'isolation périphériques (105), ladite pluralité de pixels comprenant au moins un pixel (P1) d'un premier type dans lequel la portion de couche semiconductrice du pixel a une première dimension latérale choisie de façon à définir une cavité latérale résonant à une première longueur d'onde, et au moins un pixel (P2) d'un deuxième type dans lequel la portion de couche semiconductrice du pixel a une deuxième dimension latérale différente de la première dimension, choisie de façon à définir une cavité latérale résonant à une deuxième longueur d'onde différente de la première longueur d'onde.

公开(公告)号：FR3083646A1

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：FR1856285

申请日：2018-07-09

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： RIDEAU DENIS ,  CROCHERIE AXEL

IPC: H01L27/146

Abstract: La présente description concerne un capteur d'images multispectrales comportant une pluralité de pixels (P1, P2, P3, P4) formés dans et sur une couche semiconductrice (101), chaque pixel comportant une zone active photosensible formée dans une portion de la couche semiconductrice délimitée latéralement par des murs d'isolation périphériques (105), ladite pluralité de pixels comprenant au moins un pixel (P1) d'un premier type dans lequel la portion de couche semiconductrice du pixel a une première dimension latérale choisie de façon à définir une cavité latérale résonant à une première longueur d'onde, et au moins un pixel (P2) d'un deuxième type dans lequel la portion de couche semiconductrice du pixel a une deuxième dimension latérale différente de la première dimension, choisie de façon à définir une cavité latérale résonant à une deuxième longueur d'onde différente de la première longueur d'onde.

公开(公告)号：FR3117672A1

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：FR2012999

申请日：2020-12-10

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS ,  ST MICROELECTRONICS RES & DEV LTD

Inventor： RIDEAU DENIS ,  GOLANSKI DOMINIQUE ,  LOPEZ ALEXANDRE ,  MUGNY GABRIEL

IPC: H01L31/0248 ,  H01L27/144

Abstract: Un circuit intégré comprend au moins une diode à effet d'avalanche déclenché par photon individuel « SPAD » (SPD) comportant une jonction PN, dans un caisson semiconducteur (P-) dopé avec un premier type de dopant, entre une première région dopée (PAN) avec le premier type de dopant et une deuxième région dopée (N+) avec le deuxième type de dopant opposé au premier type de dopant. La première région dopée (PAN) est façonnée de manière à incorporer des variations locales de la concentration des dopants, adaptées pour engendrer une variation monotone du potentiel électrostatique (Pot) entre la première région dopée (PAN) et le caisson semiconducteur (P-), lorsque la tension entre la deuxième région dopée (N+) et le caisson semiconducteur (P-) est supérieure ou égale au niveau de la tension de claquage (Vb) de la jonction PN. Figure de l’abrégé : figure 2A.

公开(公告)号：FR3083644B1

公开(公告)日：2021-05-14

申请号：FR1856290

申请日：2018-07-09

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： CROCHERIE AXEL ,  RIDEAU DENIS

IPC: H01L27/146

Abstract: La présente description concerne un capteur d'images multispectrales comportant une pluralité de pixels (P1, P2, P3, P4) formés dans et sur une couche semiconductrice (101), ladite pluralité de pixels comprenant au moins un pixel (P1) d'un premier type formé dans et sur une première portion de la couche semiconductrice (101) ayant une première épaisseur choisie de façon à définir une cavité verticale résonant à une première longueur d'onde, et au moins un pixel (P2) d'un deuxième type formé dans et sur une deuxième portion de la couche semiconductrice ayant une deuxième épaisseur différente de la première épaisseur, choisie de façon à définir une cavité verticale résonant à une deuxième longueur d'onde différente de la première longueur d'onde.

公开(公告)号：FR3091024B1

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：FR1873335

申请日：2018-12-19

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： BENHAMMOU YOUNES ,  GOLANSKI DOMINIQUE ,  RIDEAU DENIS

IPC: H01L31/10 ,  H01L31/0256 ,  H01L31/0288

Abstract: Photodiode à avalanche à photon unique La présente description concerne une photodiode (1) comprenant une première partie en silicium (10) et une deuxième partie en germanium dopé (20) reposant sur et en contact avec la première partie, la première partie comportant un empilement d'une première région (101) et d'une deuxième région (102) formant une jonction PN (103) et le niveau de dopage du germanium augmentant en s'éloignant de la jonction PN. Figure pour l'abrégé : Fig. 1

公开(公告)号：FR3083644A1

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：FR1856290

申请日：2018-07-09

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： CROCHERIE AXEL ,  RIDEAU DENIS

IPC: H01L27/146

Abstract: La présente description concerne un capteur d'images multispectrales comportant une pluralité de pixels (P1, P2, P3, P4) formés dans et sur une couche semiconductrice (101), ladite pluralité de pixels comprenant au moins un pixel (P1) d'un premier type formé dans et sur une première portion de la couche semiconductrice (101) ayant une première épaisseur choisie de façon à définir une cavité verticale résonant à une première longueur d'onde, et au moins un pixel (P2) d'un deuxième type formé dans et sur une deuxième portion de la couche semiconductrice ayant une deuxième épaisseur différente de la première épaisseur, choisie de façon à définir une cavité verticale résonant à une deuxième longueur d'onde différente de la première longueur d'onde.