公开(公告)号：FR3091024A1

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：FR1873335

申请日：2018-12-19

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： BENHAMMOU YOUNES ,  GOLANSKI DOMINIQUE ,  RIDEAU DENIS

IPC: H01L31/10 ,  H01L31/0256 ,  H01L31/0288

Abstract: Photodiode à avalanche à photon unique La présente description concerne une photodiode (1) comprenant une première partie en silicium (10) et une deuxième partie en germanium dopé (20) reposant sur et en contact avec la première partie, la première partie comportant un empilement d'une première région (101) et d'une deuxième région (102) formant une jonction PN (103) et le niveau de dopage du germanium augmentant en s'éloignant de la jonction PN. Figure pour l'abrégé : Fig. 1

公开(公告)号：FR3117672A1

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：FR2012999

申请日：2020-12-10

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS ,  ST MICROELECTRONICS RES & DEV LTD

Inventor： RIDEAU DENIS ,  GOLANSKI DOMINIQUE ,  LOPEZ ALEXANDRE ,  MUGNY GABRIEL

IPC: H01L31/0248 ,  H01L27/144

Abstract: Un circuit intégré comprend au moins une diode à effet d'avalanche déclenché par photon individuel « SPAD » (SPD) comportant une jonction PN, dans un caisson semiconducteur (P-) dopé avec un premier type de dopant, entre une première région dopée (PAN) avec le premier type de dopant et une deuxième région dopée (N+) avec le deuxième type de dopant opposé au premier type de dopant. La première région dopée (PAN) est façonnée de manière à incorporer des variations locales de la concentration des dopants, adaptées pour engendrer une variation monotone du potentiel électrostatique (Pot) entre la première région dopée (PAN) et le caisson semiconducteur (P-), lorsque la tension entre la deuxième région dopée (N+) et le caisson semiconducteur (P-) est supérieure ou égale au niveau de la tension de claquage (Vb) de la jonction PN. Figure de l’abrégé : figure 2A.

公开(公告)号：FR3121282A1

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：FR2103040

申请日：2021-03-25

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： ZIMMER ANTONIN ,  GOLANSKI DOMINIQUE ,  BIANCHI RAUL ANDRES

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/18

Abstract: Photodiode SPAD La présente description concerne une photodiode comportant, dans un substrat semi-conducteur (11) d'un premier type de conductivité : - une première région (13) enterrée sensiblement hémisphérique du premier type de conductivité ; et - à l'intérieur de la première région, un coeur (15) sensiblement hémisphérique d'un deuxième type de conductivité, différent du premier type de conductivité. Figure pour l'abrégé : Fig. 2

公开(公告)号：FR3091024B1

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：FR1873335

申请日：2018-12-19

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： BENHAMMOU YOUNES ,  GOLANSKI DOMINIQUE ,  RIDEAU DENIS

IPC: H01L31/10 ,  H01L31/0256 ,  H01L31/0288

Abstract: Photodiode à avalanche à photon unique La présente description concerne une photodiode (1) comprenant une première partie en silicium (10) et une deuxième partie en germanium dopé (20) reposant sur et en contact avec la première partie, la première partie comportant un empilement d'une première région (101) et d'une deuxième région (102) formant une jonction PN (103) et le niveau de dopage du germanium augmentant en s'éloignant de la jonction PN. Figure pour l'abrégé : Fig. 1

公开(公告)号：FR3068174A1

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：FR1755669

申请日：2017-06-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： GOLANSKI DOMINIQUE ,  JIMENEZ JEAN ,  DUTARTRE DIDIER ,  GONNARD OLIVIER

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/18

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'une photodiode SPAD, compatible avec la fabrication de transistors MOS, comprenant : délimiter une zone de formation d'une photodiode SPAD dans une couche (6) de matériau semiconducteur d'un premier type de dopage ; implanter des dopants d'un second type avec une première énergie dans une première région enterrée (20) de ladite zone ; et faire croître une couche épitaxiale (22) sur l'ensemble de la structure.